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Silicon Carbide and Related Materials 2007
Silicon Carbide and Related Materials 2007
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1.
DC and RF Performance of Diamond MISFETs with Alumina Gate Insulator
机译:
带氧化铝栅极绝缘体的金刚石MISFET的DC和RF性能
作者:
Kazuyuki Hirama
;
Yoshikatsu Jingu
;
Masaru Ichikawa
;
Hitoshi Umezawa
;
Hiroshi Kawarada
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
diamond;
RF;
gate insulator;
MISFETs;
2.
Characterization of Nanometer-sized ZnO by Raman and Cathodoluminescence Spectroscopies
机译:
拉曼光谱和阴极荧光光谱法表征纳米级的ZnO
作者:
Keiko lnoue
;
Takeshi Nakagawa
;
Masanobu Yoshikawa
;
Noriyuki Hasuike
;
Hiroshi Harima
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
nanometer-sized ZnO;
UV-Raman spectroscopy;
cathodoluminescence;
size effect;
3.
High Frequency Inversion Capacitance Measurements for 6H-SiC n-MOS Capacitors from 450 to 600 °C
机译:
适用于450至600°C的6H-SiC n-MOS电容器的高频逆变电容测量
作者:
Ruby N. Ghosh
;
Reza Loloee
;
Tamara Isaacs-Smith
;
John R. Williams
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
bulk carrier generation;
inversion capacitance;
high temperature;
MOS capacitor;
4.
Crystalline Recovery after Activation Annealing of Al Implanted 4H-SiC
机译:
注入铝的4H-SiC活化退火后的晶体恢复
作者:
R. Hattori
;
T. Watanabe
;
T. Mitani
;
H. Sumitani
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
defects;
ion implantation;
activation annealing;
hole mobility;
5.
Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process: from first principles
机译:
C面氧化过程中SiO_2 / 4H-SiC界面的动力学模拟:第一原理
作者:
T. Ohnuma
;
A. Miyashita
;
M. lwasawa
;
M. Yoshikawa
;
H. Tsuchida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
first-principles molecular dynamics;
oxidation process;
SiO_2/SiC interface;
C-face;
6.
Influence of the Oxidation Temperature and Atmosphere on the Reliability of Thick Gate Oxides on the 4H-SiC C(000-1) face
机译:
氧化温度和气氛对4H-SiC C(000-1)面上厚栅极氧化物可靠性的影响
作者:
M. Grieb
;
D. Peters
;
A.J. Bauer
;
P. Friedrichs
;
H. Ryssel
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
(000-1);
C-face;
oxide breakdown;
reliability;
oxidation;
constant-current-stress;
time-dependent-dielectric-breakdown (TDDB);
7.
Present Status and Future Prospects for Electronics in EVs/HEVs and Expectations for Wide Bandgap Semiconductor Devices
机译:
电动汽车/混合动力汽车中电子产品的现状和未来展望以及对宽带隙半导体器件的期望
作者:
Kimimori Hamada
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
EV;
HEV;
inverter;
automobile application;
8.
Critical Technical Issues in High Voltage SiC Power Devices
机译:
高压SiC功率器件中的关键技术问题
作者:
Anant Agarwal
;
Al Burk
;
Robert Callanan
;
Craig Capell
;
Mrinal Das
;
Sarah Haney
;
Brett Hull
;
Charlotte Jonas
;
Michael O Loughlin
;
Michael O Neil
;
John Palmour
;
Adrian Powell
;
James Richmond
;
Sei-Hyung Ryu
;
Robert Stahlbush
;
Joe Sumakeris
;
Jon Zhang
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high voltage;
power devices;
MOSFET;
BJT;
IGBT;
GTO;
stacking fault;
9.
SiC JFET: Currently the Best Solution for an Unipolar SiC High Power Switch
机译:
SiC JFET:目前单极性SiC大功率开关的最佳解决方案
作者:
K. Rueschenschmidt
;
M.Treu
;
R. Rupp
;
P. Friedrichs
;
R. Elpelt
;
D. Peters
;
P. Blaschitz
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
high power device;
switch;
JFET;
MOSFET;
10.
Challenges of 4H-SiC MOSFETs on the C(000-1) Face toward the Achievement of Ultra Low On-Resistance
机译:
C(000-1)上4H-SiC MOSFET面临的挑战是实现超低导通电阻
作者:
K. Fukuda
;
S. Harada
;
J. Senzaki
;
M. Okamoto
;
Y. Tanaka
;
A. Kinoshita
;
R. Kosugi
;
K. Kojima
;
M. Kato
;
A. Shimozato
;
K. Suzuki
;
Y. Hayashi
;
K. Takao
;
T. Kato
;
S. Nishizawa
;
T. Yatsuo
;
H. Okumura
;
H. Ohashi
;
K. Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC, C(000-1) face;
IEMOS;
SBD;
channel mobility;
oxide reliability;
converter;
11.
Normally-off 1400V/30A4H-SiC DACFET and Its Application to DC-DC Converter
机译:
常关1400V / 30A4H-SiC DACFET及其在DC-DC转换器中的应用
作者:
M. Kitabatake
;
M. Tagome
;
S. Kazama
;
K. Yamashita
;
K. Hashimoto
;
K. Takahashi
;
O.Kusumpto
;
K. Utsunomiya
;
M. Hayashi
;
M. Uchida
;
R. Ikegami
;
C. Kudo
;
S. Hashimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
normally off;
R_(on);
switch;
DC-DC converter;
12.
Applications-Based Design of SiC Technology
机译:
基于应用的SiC技术设计
作者:
N. G. Wright
;
C. M. Johnson
;
A. B. Horsfall
;
C. Buttay
;
K. Vassilevski
;
W. S. Loh
;
R. Skuriat
;
P. Agyakwa
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
JFET;
package;
thermal resistance;
thermal cycling;
reliability;
13.
New Applications in Power Electronics Based on SiC Power Devices
机译:
基于SiC功率器件的电力电子的新应用
作者:
Herve Morel
;
Dominique Bergogne
;
Dominique Planson
;
Bruno Allard
;
Regis Meuret
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC devices;
JFET;
power electronics;
high temperature;
high voltage;
14.
LPE Growth of Bulk GaN crystal by alkali-metal flux method
机译:
碱金属熔剂法LPE生长块状GaN晶体
作者:
Fumio Kawamura
;
Hidekazu Umeda
;
Masanori Morishita
;
Ryohei Gejo
;
Masaki Tanpo
;
Mamoru Imade
;
Naoya Miyoshi
;
Masashi Yoshimura
;
Yusuke Mori
;
Takatomo Sasaki
;
Yasuo Kitaoka
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
single crystal;
2 inch;
liquid phase epitaxy;
LPE;
15.
600V GaN Schottky Barrier Power Devices for High Volume and Low Cost Applications
机译:
适用于大批量低成本应用的600V GaN肖特基势垒功率器件
作者:
Linlin Liu
;
TingGang Zhu
;
Michael Murphy
;
Marek Pabisz
;
Milan Pophristic
;
Boris Peres
;
Tom Hierl
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
diode;
SiC;
schottky barrier diode;
reverse-recovery;
conductive atomic force microscope (CAFM);
isolated frame package;
conductive dislocation;
switch mode power supplies (SMPS);
16.
Status of GaN-based Power Switching Devices
机译:
GaN基功率开关器件的现状
作者:
Masahiro Hikita
;
Hiroaki Ueno
;
Hisayoshi Matsuo
;
Tetsuzo Ueda
;
Yasuhiro Uemoto
;
Kaoru Inoue
;
Tsuyoshi Tanaka
;
Daisuke Ueda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
Si substrate;
normally-off;
hole injection;
conductivity modulation;
high power switching;
17.
Progress in GaN MOSFET Technology
机译:
GaN MOSFET技术的进步
作者:
T. P. Chow
;
W. Huang
;
T. Khan
;
K. Matocha
;
Y. Wang
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
MOS;
interface state density;
enhancement-mode MOSFET;
18.
4H Silicon Carbide Etching Using Chlorine Trifluoride Gas
机译:
使用三氟化氯气体蚀刻4H碳化硅
作者:
Hitoshi Habuka
;
Yusuke Katsumi
;
Yutaka Miura
;
Keiko Tanaka
;
Yasushi Fukai
;
Takaya Fukae
;
Yuan Gao
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
chlorine trifluoride;
dry etching;
surface morphology;
19.
Investigation of Subcontact Layers in SiC After Diffusion Welding
机译:
扩散焊后SiC中亚接触层的研究
作者:
O.Korolkov
;
Kuznetsova
;
A.Sitnikova
;
M.Viljus
;
T.Rang
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
diffusion welding;
metal contacts;
interface layer;
transmission electron microscopy;
diffraction investigations;
20.
Electrical characteristics of Ti/4H-SiC silicidation Schottky barrier diode
机译:
Ti / 4H-SiC硅化肖特基势垒二极管的电学特性
作者:
Akimasa Kinoshita
;
Takashi Nishi
;
Takasumi Ohyanagi
;
Tsutomu Yatsuo
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schottky barrier diode;
schottky barrier height;
annealing;
titanium;
silicidation;
21.
6H-SiC Lateral JFETs for Analog Integrated Circuits
机译:
用于模拟集成电路的6H-SiC横向JFET
作者:
Xiao-An Fu
;
Amita Patil
;
Philip G. Neudeck
;
Glenn M. Beheim
;
Steven L. Garverick
;
Mehran Mehregany
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
JFET;
high temperature electronics;
6H-SiC;
device physics;
device fabrication;
22.
Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen
机译:
氯氧混合气体中SiC的各向异性刻蚀
作者:
Tomoaki Hatayama
;
Tomoya Shimizu
;
Hiroshi Yano
;
Yukiharu Uraoka
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
etching;
anisotropy;
chlorine;
oxygen;
(11-20);
23.
Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC
机译:
多次注入Al的4H-SiC中电活性轮廓和表面粗糙度的退火温度依赖性
作者:
F. Giannazzo
;
F. Roccaforte
;
D.Salinas
;
V. Raineri
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
Al implantation;
electrical activation;
scanning probe microscopy;
24.
Dual-Pearson Approach to Model Ion-Implanted Al Concentration Profiles for High-Precision Design of High-Voltage 4H-SiC Power Devices
机译:
用于离子注入Al浓度分布模型的双重皮尔逊方法,用于高压4H-SiC功率器件的高精度设计
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Hidekatsu Onose
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion implantation;
Al;
4H-SiC;
dual pearson;
monte carlo simulation;
25.
Detection and Characterization of Defects Induced by Ion Implantation/Annealing Process in SiC
机译:
SiC中离子注入/退火工艺引起的缺陷的检测与表征
作者:
M. Nagano
;
H. Tsuchida
;
T. Suzuki
;
T. Hatakeyama
;
J. Senzaki
;
K. Fukuda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
implantation;
annealing;
device process;
defect;
26.
Depth Profiling of Al Ion-Implantation Damage in SiC Crystals by Cathodoluminescence Spectroscopy
机译:
阴极发光光谱对SiC晶体中Al离子注入损伤的深度剖析
作者:
Takeshi Mitani
;
Ryo Hattori
;
Masanobu Yoshikawa
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion-implantation;
D_I luminescence;
cathodoluminescence;
27.
Compensation Effects in 7 MeV C irradiated n-doped 4H-SiC
机译:
7 MeV C辐照的n掺杂4H-SiC的补偿效应
作者:
G. lzzo
;
G. Litrico
;
L. Calcagno
;
G. Foti
;
F. La Via
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
defects;
C-V;
I-V;
doping;
compensation;
28.
Structure and Lattice Location of Ge Implanted 4H-SiC
机译:
锗注入4H-SiC的结构和晶格位置
作者:
Th. Kups
;
K. Tonisch
;
M. Voelskow
;
W. Skorupa
;
A.L. Konkin
;
J. Pezoldt
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion implantation;
solid solution;
germanium;
TEM;
HXRD;
EPR;
29.
Laser Doping of Chromium and Selenium in p-type 4H-SiC
机译:
p型4H-SiC中的铬和硒的激光掺杂
作者:
S. Bet
;
N. R. Quick
;
A. Kar
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
laser doping;
white light emitting devices;
30.
Phase Formation and Growth Kinetics of an Interface Layer in Ni/SiC
机译:
Ni / SiC界面层的相形成和生长动力学
作者:
Kenichiro Terui
;
Atsuko Sekiguchi
;
Hiroshi Yoshizaki
;
Junichi Koike
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
nickel;
silicon carbide;
interface reaction;
growth kinetic;
31.
Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
机译:
原位光谱椭偏仪研究SiC氧化速率的氧分压依赖性
作者:
Takeshi Yamamoto
;
Yasuto Hijikata
;
Hiroyuki Yaguchi
;
Sadafumi Yoshida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide (SiC);
(0001);
(000-1);
oxidation;
in-situ spectroscopic ellipsometry;
deal-grove model;
massoud empirical relation;
32.
TEM Observation of SiO_2/4H-SiC Hetero Interface
机译:
SiO_2 / 4H-SiC异质界面的TEM观察
作者:
Hirofumi Matsuhata
;
Junji Senzaki
;
Ichiro Nagai
;
Hirotaka Yamaguchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiO_2/SiC;
MOS;
interface-dislocation;
basal-plane dislocation;
TEM;
STEM;
EDX;
33.
Influence of metallization annealing on channel mobility in 4H-SiC MOSFET on carbon face
机译:
金属化退火对碳表面4H-SiC MOSFET沟道迁移率的影响
作者:
Shinsuke Harada
;
Makoto Kato
;
Tsutomu Yatsuo
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
carbon face;
channel mobility;
ohmic contact;
metallization annealing;
hydrogen annealing;
34.
Enhanced Channel Mobility in 4H-SiC MISFETs by Utilizing Deposited SiN/SiO_2 Stack Gate Structures
机译:
利用沉积的SiN / SiO_2堆叠栅结构增强4H-SiC MISFET的沟道迁移率
作者:
Masato Noborio
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
MIS;
silicon nitride (SiN);
deposited insulator;
channel mobility;
interface state density;
35.
Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with AI_2O_3/SiO_x/SiC Gate Structure
机译:
具有AI_2O_3 / SiO_x / SiC栅极结构的SiC-MOSFET的异常高沟道迁移率
作者:
Shiro Hino
;
Tomohiro Hatayama
;
Jun Kato
;
Naruhisa Miura
;
Tatsuo Oomori
;
Eisuke Tokumitsu
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
aluminum oxide;
low temperature deposition;
MOSFET;
channel Mobility;
36.
Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated using Sodium Enhanced Oxidation Technique
机译:
使用钠增强氧化技术制造的带有栅氧化物的碳化硅MOSFET的散射机理
作者:
Vinayak Tilak
;
Kevin Matocha
;
Greg Dunne
;
Fredrik Allerstam
;
Einar O. Sveinbjomsson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC MOSFET;
interface trap density;
oxidation techniques;
hall effect;
37.
High Channel Mobility of MOSFET Fabricated on 4H-SiC (11-20) Face Using Wet Annealing
机译:
湿退火在4H-SiC(11-20)面上制造的MOSFET的高沟道迁移率
作者:
Takeshi Endo
;
Eiichi Okuno
;
Toshio Sakakibara
;
Shoichi Onda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
(11-20) face;
channel mobility;
interface states;
MOSFET;
wet oxidation;
wet annealing;
hydrogen passivation;
thermal desorption spectroscopy;
38.
High Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET Fabricated on Macro-Stepped Surface
机译:
宏观阶梯表面上制造的4H-SiC MOSFET的高沟道迁移率
作者:
Takeyoshi Masuda
;
Shin Harada
;
Takashi Tsuno
;
Yasuo Namikawa
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC MOSFET;
channel mobility;
macro-step;
NO-annealing;
39.
Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation
机译:
通过使用氮注入改善4H SiC MOSFET中的电子沟道迁移率
作者:
Francesco Moscatelli
;
Roberta Nipoti
;
Sandro Solmi
;
Stefano Cristiani
;
Michele Sanmartin
;
Antonella Poggi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
SiC;
nitrogen implantation;
electron mobility;
40.
Reduction of Interface Traps and Enhancement of Channel Mobility in n-channel 6H-SiC MOSFETs by Irradiation with Gamma-Rays
机译:
通过伽马射线辐照减少n型6H-SiC MOSFET中的界面陷阱并提高沟道迁移率
作者:
S. Hishiki
;
S. A. Reshanov
;
T. Ohshima
;
H. ltoh
;
G. Pensl
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
hall effect;
interface trap;
channel mobility;
gamma-rays;
41.
Effects of Fabrication Process on the Electrical Characteristics of n-channel MOSFETs Irradiated with Gamma-Rays
机译:
制备工艺对伽马射线辐照的N沟道MOSFET电气特性的影响
作者:
S. Hishiki
;
N. Iwamoto
;
T. Ohshima
;
H. ltoh
;
K. Kojima
;
K. Kawano
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
6H-SiC MOSFET;
gamma-rays;
channel mobility;
surface roughness;
gate oxide;
42.
Electrically Detected Magnetic Resonance Studies of Processing Variations in 4H SiC Based MOSFETs
机译:
电检测的4H SiC基MOSFET的工艺变化的磁共振研究
作者:
C.J Cochrane
;
P.M. Lenahan
;
A.J. Lelis
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
magnetic resonance;
device reliability;
MOSFET;
43.
4H-SiC p-channel MOSFETs with epi-channel structure
机译:
具有Epi沟道结构的4H-SiC p沟道MOSFET
作者:
Mitsuo Okamoto
;
Tsutomu Yatsuo
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
p-channel MOSFET;
epi-channel structure;
channel mobility;
CMOS;
44.
Atomistic Scale Modeling of Factors Affecting the Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs
机译:
影响4H-SiC MOSFET沟道迁移率的因素的原子尺度建模
作者:
Aveek Chatterjee
;
Asha Bhat
;
Kevin Matocha
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
surface energy;
molecular dynamics;
defects;
screening distanceq;
45.
The Inefficiency of H_2-passivation as a Criterion for the Origin of SiC/SiO_2 Deep Interface States - a Theoretical Study
机译:
H_2钝化的低效性决定了SiC / SiO_2深界面态的起源-一个理论研究
作者:
Jan M. Knaup
;
Peter Deak
;
Thomas Frauenheim
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
dit;
hydrogen treatment;
reaction kinetics;
46.
Two Different Species of Traps Monitored at N-implanted 3C-SiC MOS Capacitors by Conductance Spectroscopy
机译:
电导光谱法在N注入的3C-SiC MOS电容器上监测两种不同的陷阱
作者:
S. Beljakowa
;
M. Krieger
;
T. Frank
;
G. Pensl
;
L. Trapaidze
;
N. Hatta
;
M. Abe
;
H. Nagasawa
;
A. Schoener
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
conductance spectroscopy;
interface traps;
double conductance peak;
nitrogen-passivation;
47.
Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime
机译:
薄氧化物区SiC氧化速率的模型计算
作者:
Yasuto Hijikata
;
Takeshi Yamamoto
;
Hiroyuki Yaguchi
;
Sadafumi Yoshida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
model calculation;
oxidation;
growth enhancement;
deal-grove model;
si emission model;
48.
Effect of Post-Oxidation Annealing on High-Temperature Grown SiO_2/4H-SiC Interface
机译:
后氧化退火对高温生长的SiO_2 / 4H-SiC界面的影响
作者:
Jeong Hyun Moon
;
Kuan Yew Cheong
;
Ho Keun Song
;
Jeong Hyuk Yim
;
Myeong Sook Oh
;
Jong Ho Lee
;
Wook Bahng
;
Nam-Kyun Kim
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high temperature oxidation;
4H-SiC;
interface trap density (D_(it));
49.
Influence of Ambient, Gate Metal and Oxide Thickness on Interface State Density and Time Constant in MOSiC Capacitor
机译:
环境,栅极金属和氧化物厚度对MOSiC电容器界面态密度和时间常数的影响
作者:
Shinji Nakagomi
;
Kenta Sato
;
Shun Suzuki
;
Yoshihiro Kokubun
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
interface state density;
time constant;
AC conductance method;
hydrogen;
platinum;
MOS;
50.
The Effect of Nitridation on SiC MOS Oxides as Evaluated by Charge Pumping
机译:
用电荷泵评估氮化对SiC MOS氧化物的影响
作者:
D.B.Habersat
;
A.J.Lelis
;
J.M.McGarrity
;
F.B.McLean
;
S.Potbhare
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOS;
MOSFET;
interface traps;
oxide traps;
charge pumping;
nitridation;
51.
Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs
机译:
精确测量4H-SiC MOSFET中电荷泵电流的标准
作者:
D. Okamoto
;
H. Yano
;
T. Hatayama
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOS interface;
charge-pumping method;
geometric component;
NO annealing;
52.
Optimization of 4H-SiC MOS Properties with Cesium Implantation
机译:
铯注入优化4H-SiC MOS性能
作者:
Y. Wang
;
T. Khan
;
T.P. Chow
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC MOS;
cesium implantation;
interface state density;
53.
A study of deep energy-level traps at the 4H-SiC/SiO_2 interface and their passivation by hydrogen
机译:
4H-SiC / SiO_2界面深能级陷阱的研究及其氢钝化的研究
作者:
F. Allerstam
;
E. OE. Sveinbjoernsson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOS;
hydrogen passivation;
interface states;
DLTS;
54.
Interface and Carrier Transport Behaviour in Ai/HfO_2/SiO_2/SiC Structure
机译:
Ai / HfO_2 / SiO_2 / SiC结构中的界面和载流子传输行为
作者:
R. Mahapatra
;
A. B. Horsfall
;
N.G. Wright
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high-k;
HfO_2;
SiC;
55.
Improved Properties of AI0N/4H-SiC Interface for Passivation Studies
机译:
用于钝化研究的AI0N / 4H-SiC界面的改进特性
作者:
M. Wolborski
;
D. M. Martin
;
M. Bakowski
;
A. Hallen
;
I. Katardjiev
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
passivation;
leakage currents;
56.
Negative Field Reliability of ONO Gate Dielectric on 4H-SiC
机译:
4H-SiC上ONO栅介质的负场可靠性
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Tatsuhiro Suzuki
;
Shigeharu Yamagami
;
Hideaki Tanaka
;
Tetsuya Hayashi
;
Yukie Hirose
;
Masakatsu Hoshi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
gate dielectric;
crystal defect;
reliability;
ONO;
MOSFET;
TDDB;
high temperature;
57.
Influence of annealing on the AI_2O_3/4H-SiC interface
机译:
退火对Al_2O_3 / 4H-SiC界面的影响
作者:
Ulrike Grossner
;
Marc Avice
;
Spyros Diplas
;
Annett Thogersen
;
Jens S. Christensen
;
Bengt G. Svensson
;
Ola Nilsen
;
Helmer Fjellvag
;
John. F. Watts
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
aluminum oxide;
interface;
4H-SiC;
annealing;
ALCVD;
XPS;
TEM;
SIMS;
58.
Post Metallization Annealing Characterization of Interface Properties of High-K Dielectrics Stack on Silicon Carbide
机译:
碳化硅上高K电介质叠层的界面特性的后金属化退火特性
作者:
M.H. Weng
;
R. Mahapatra
;
N.G. Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high-K;
post metallization annealing;
interface;
high temperature;
59.
Correlation between Thermal Oxide Breakdown and Defects in n-type 4H-SiC Epitaxial Wafers
机译:
n型4H-SiC外延晶片中热氧化物击穿与缺陷之间的相关性
作者:
Stanislav Soloviev
;
Kevin Matocha
;
Greg Dunne
;
Zachary Stum
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
thermal oxide;
MOS capacitor;
dislocations;
reliability;
60.
Reliability of Thermal Oxides Grown on n-type 4H-SiC Implanted with Low Nitrogen Concentration
机译:
低氮浓度的n型4H-SiC上生长的热氧化物的可靠性
作者:
Junji Senzaki
;
Atsushi Shimozato
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
thermal oxide;
reliability;
dielectric breakdown;
Ion implantation;
surface morphology;
dislocation;
61.
Impact of the Wafer Quality on the Reliability of MOS Structure on the C-face of 4H-SiC
机译:
晶圆质量对4H-SiC C面MOS结构可靠性的影响
作者:
T. Hatakeyama
;
T. Suzuki
;
J. Senzaki
;
K. Fukuda
;
H. Matsuhata
;
T. Shinohe
;
K. Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
gate oxide;
reliability;
dislocation;
TDDB;
surface defect;
62.
Gate-area Dependence of SiC Thermal Oxides Reliability
机译:
SiC热氧化物的栅极面积依赖性
作者:
Junji Senzaki
;
Atsushi Shimozato
;
Mitsuo Okamoto
;
Kazutoshi Kojima
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
reliability;
thermal oxides;
MOS;
dislocations;
TDDB;
63.
Effect of Gate Wet Reoxidation on Reliability and Channel Mobility of Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors Fabricated on 4H-SiC (0001)
机译:
栅极湿法再氧化对在4H-SiC上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性和沟道迁移率的影响(0001)
作者:
Takuma Suzuki
;
Junji Senzaki
;
Tetsuo Hatakeyama
;
Kenji Fukuda
;
Takashi Shinohe
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
MOS;
FET;
TDDB;
reliability;
channel mobility;
64.
TDDB Measurement of Gate SiO_2 on 4H-SiC Formed by Chemical Vapor Deposition
机译:
TDDB测量通过化学气相沉积形成的4H-SiC上的SiO_2栅
作者:
K. Fujihira
;
S. Yoshida
;
N. Miura
;
Y. Nakao
;
M. Imaizumi
;
T. Takami
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
reliability;
CVD oxide;
thermal oxide;
TDDB;
MOS capacitor;
65.
Impact of Nitridation on Negative and Positive Charge Buildup in SiC Gate Oxides
机译:
氮化对SiC栅极氧化物中正负电荷积累的影响
作者:
John Rozen
;
Sarit Dhar
;
Sanwu Wang
;
V. V. Afanasev
;
S. T. Pantelides
;
J. R. Williams
;
L. C. Feldman
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSCAPs;
charge injection;
interface state generation;
hole trapping;
NO annealing;
66.
Temperature-Dependence of SiC MOSFET Threshold-Voltage Instability
机译:
SiC MOSFET阈值电压不稳定性的温度依赖性
作者:
A.J. Lelis
;
D. Habersat
;
R. Green
;
N. Goldsman
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFET reliability;
threshold voltage instability;
oxide charge;
67.
Characteristics of Sol-gel Derived SiO_2 Thick Film on 4H-SiC
机译:
4H-SiC上溶胶凝胶衍生的SiO_2厚膜的特性
作者:
Jo-Lene Tan
;
Kuan Yew Cheong
;
Rush
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
porosity;
total interface trap density;
slow trap density;
thick film;
spin-on coating;
68.
New chemical planarization of SiC and GaN using an Fe plate in H_2O_2 solution
机译:
在H_2O_2溶液中使用Fe板对SiC和GaN进行新的化学平坦化
作者:
J. Murata
;
A. Kubota
;
K. Yagi
;
Y. Sano
;
H. Hara
;
K. Arima
;
T. Okamoto
;
H. Mimura
;
K. Yamauchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
polishing;
catalyst;
hydroxyl radical;
etching;
69.
Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications
机译:
功率器件用4H-SiC晶片的研磨抛光技术的发展
作者:
Hirokatsu Yashiro
;
Tatsuo Fujimoto
;
Noboru Ohtani
;
Taizo Hoshino
;
Masakazu Katsuno
;
Takashi Aigo
;
Hiroshi Tsuge
;
Masashi Nakabayashi
;
Hosei Hirano
;
Kohei Tatsumi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
lapping;
TTV;
LTV;
SORI;
mechano-chemical polishing;
atomic force microscopy;
auger electron spectroscopy;
70.
Improvements in Electrical Properties of SiC Surface Using Mechano-Chemical Polishing
机译:
用机械化学抛光改进SiC表面的电性能
作者:
Kazutoshi Hotta
;
Kenji Hirose
;
Yayoi Tanaka
;
Kenji Kawata
;
Osamu Eryu
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
mechano-chemical polishing;
AFM;
CAICISS;
schottky barrier diode;
71.
The Impact of Chemical-Mechanical Polishing on Defective 4H-SiC Schottky Barrier Diodes
机译:
化学机械抛光对有缺陷的4H-SiC肖特基势垒二极管的影响
作者:
Kung-Yen Lee
;
Wenzhou Chen
;
Michael A. Capano
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schotty barrier diode;
CMP;
SiC;
inhomogeneity;
defect;
carrot;
leakage current;
breakdown voltage;
72.
Effect of Process Parameters on Material Removal Rate in Chemical Mechanical Polishing of 6H-SiC(0001)
机译:
工艺参数对6H-SiC(0001)化学机械抛光中材料去除率的影响
作者:
Joon-Ho An
;
Gi-Sub Lee
;
Won-Jae Lee
;
Byoung-Chul Shin
;
Jung-Doo Seo
;
Kap-Ryeol Ku
;
Heon-decok Seo
;
Hae-do Jeong
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
6H-SiC;
chemical mechanical polishing;
CMP;
MRR;
surface roughness;
surface damage;
73.
Damage-free Planarization of 2-inch 4H-SiC Wafer Using Pt Catalyst Plate and HF Solution
机译:
使用Pt催化板和HF解决方案对2英寸4H-SiC晶片进行无损平面化
作者:
Takeshi Okamoto
;
Yasuhisa Sano
;
Hideyuki Hara
;
Kenta Arima
;
Keita Yagi
;
Junji Murata
;
Hidekazu Mimura
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
planarization;
etching;
platinum;
catalyst;
hydrofluoric acid;
atomic force microscope;
interference microscopy;
74.
The Preparation of World-Class Single Crystal Silicon Carbide Wafers Using High Rate Chemical Mechanical Planarization Slurries
机译:
用高速率化学机械平面化浆料制备世界一流的单晶碳化硅晶片
作者:
Michael L. White
;
Stan Reggie
;
Nevin Naguib
;
Kenneth Nicholson
;
Jeffrey Gilliland
;
Alicia Walters
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
CMP;
polishing;
chemical mechanical planarization;
process;
arrhenius;
activation energy;
75.
Beveling of Silicon Carbide Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining
机译:
等离子体化学汽化加工对碳化硅晶片的斜切
作者:
Takehiro Kato
;
Yasuhisa Sano
;
Hideyuki Hara
;
Hidekazu Mimura
;
Kazuya Yamamura
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
plasma chemical vaporization machining;
PCVM;
atmospheric-pressure plasma;
etching;
beveling;
76.
Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Silicon Carbide
机译:
硅和碳化硅的等离子体化学汽化加工的温度依赖性
作者:
Yasuhisa Sano
;
Masayo Watanabe
;
Takehiro Kato
;
Kazuya Yamamura
;
Hidekazu Mimura
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
plasma chemical vaporization machining;
atmospheric-pressure plasma;
etching;
temperature dependence;
arrhenius plot;
77.
Electric Discharge Machining for Silicon Carbide and Related Materials
机译:
碳化硅及相关材料的放电加工
作者:
Satarou Yamaguchi
;
Toshiya Noro
;
Hideaki Takahashi
;
Hideyoshi Majima
;
Yoshihisa Nagao
;
Katsuhiko Ishikawa
;
You Zhou
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
electric discharge machining (EDM);
photoconduction;
high temperature effect;
avalanche effect;
gas discharge;
silicon carbide;
78.
Characterization of Electric Discharge Machining for Silicon Carbide Single Crystal
机译:
碳化硅单晶放电加工的表征
作者:
Tomohisa Kato
;
Toshiya Noro
;
Hideaki Takahashi
;
Satarou Yamaguchi
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
electric discharge machining;
single crystal;
silicon carbide;
wafer processing;
79.
A Silicon Carbide Accelerometer for Extreme Environment Applications
机译:
适用于极端环境应用的碳化硅加速度计
作者:
Srihari Rajgopal
;
Daniel Zula
;
Steven Garverick
;
Mehran Mehregany
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
accelerometer;
vibration;
silicon carbide;
poly-SiC;
capacitive;
high temperature;
harsh environment;
80.
An Examination of Material-related Performance in SiC Heated Elements for IR Emitter and Sensor Applications
机译:
对用于红外发射器和传感器应用的SiC加热元件中与材料有关的性能的检查
作者:
Li Chen
;
Mehran Mehregany
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
heated element;
micro hotplate;
infra-red;
emitter;
81.
Mechanical Properties of Poly 3C-SiC Thin Films according to Carrier Gas (H_2) Concentration
机译:
载气(H_2)浓度对Poly 3C-SiC薄膜力学性能的影响
作者:
Gwiy-Sang Chung
;
Ki-Bong Han
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
Poly 3C-SiC;
nano Indentation;
AFM;
young's modulus;
hardness;
82.
Novel Use of Columnar Porous Silicon Carbide Structures as Nanoimprint Lithography Stamps
机译:
柱状多孔碳化硅结构作为纳米压印光刻印章的新颖用途。
作者:
J.H. Leach
;
H. Morkoc
;
Y. Ke
;
R.P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
porous SiC;
nanoimprint lithography;
photo-electrochemical etching;
83.
Etching Characteristics of Polycrystalline 3C-SiC Films Using Enhanced RIE
机译:
增强型RIE对多晶3C-SiC薄膜的刻蚀特性
作者:
Gwiy-Sang Chung
;
Chang-Min Ohn
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
poly 3C-SiC;
reactive ion etching;
CHF_3;
M/NEMS;
84.
Femtosecond Laser-Induced Surface Patterning on 4H-SiC
机译:
飞秒激光诱导的4H-SiC表面图案
作者:
Takuro Tomita
;
Ryota Kumai
;
Keita Kinoshita
;
Shigeki Matsuo
;
Shuichi Hashimto
;
Hirokazu Nagase
;
Makoto Nakajima
;
Tohru Suemoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
femtosecond laser;
surface pattering;
ripple;
periodic structure;
micro-machining;
85.
Cross-Sectional TEM Analysis of Structural Change in 4H-SiC Single Crystal Irradiated by Femtosecond Laser Pulses
机译:
飞秒激光脉冲辐照4H-SiC单晶结构变化的截面TEM分析
作者:
Hiroyuki Kawahara
;
Tatsuya Okada
;
Ryota Kumai
;
Takuro Tomita
;
Shigeki Matsuo
;
Shuichi Hashimoto
;
Makoto Yamaguchi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
femotosecond laser;
ripple;
transmission electron microscopy;
86.
Development of Large Area (up to 1.5 cm~2) 4H-SiC 10 kV Junction Barrier Schottky Rectifiers
机译:
大面积(可达1.5 cm〜2)4H-SiC 10 kV结型势垒肖特基整流器的开发
作者:
Brett A. Hull
;
Joseph J. Sumakeris
;
Michael J. OLoughlin
;
Qingchun (Jon) Zhang
;
Jim Richmond
;
Adrian Powell
;
Mike Paisley
;
Valeri Tsvetkov
;
Allen Hefner
;
Angel Rivera
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
junction barrier schottky diode;
high voltage;
high frequency;
low 1C substrate;
87.
Reliability Aspects of High Voltage 4H-SiC JBS Diodes
机译:
高压4H-SiC JBS二极管的可靠性方面
作者:
Pierre Brosselard
;
Nicolas Camara
;
Xavier Jorda
;
Miquel Vellvehi
;
Edwige Bano
;
Jose Millan
;
Philippe Godignon
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-silicon carbide;
junction barrier schottky diode;
stacking faults formation;
basal plane dislocation;
88.
1200-V JBS Diodes with Low Threshold Voltage and Low Leakage Current
机译:
具有低阈值电压和低泄漏电流的1200V JBS二极管
作者:
Takeo Yamamoto
;
Jun Kojima
;
Takeshi Endo
;
Eiichi Okuno
;
Toshio Sakakibara
;
Shoichi Onda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
JBS;
SBD;
molybdenum;
low leakage current;
surge;
89.
High-Current 10 kV SiC JBS Rectifier Performance
机译:
大电流10 kV SiC JBS整流器性能
作者:
Eugene A. Imhoff
;
Karl D. Hobart
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
JBS;
rectifier;
schottky;
high voltage;
high current;
reliability;
90.
5 kV, 9.5 A SiC JBS Diodes with Non-uniform Guard Ring Edge Termination for High Power Switching Application
机译:
具有不均匀保护环边缘端接的5 kV,9.5 A SiC JBS二极管,用于大功率开关应用
作者:
Jun Hu
;
Larry X. Li
;
Petre Alexandrov
;
Xiaohui Wang
;
Jian H. Zhao
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
JBS diode;
guard ring edge termination;
half bridge inverter;
91.
10 kV Silicon Carbide Junction Barrier Schottky Rectifier
机译:
10 kV碳化硅结型势垒肖特基整流器
作者:
Ty McNutt
;
Stephen Van Campen
;
Andy Walker
;
Kathy Ha
;
Chris Kirby
;
Marc Sherwin
;
Ranbir Singh
;
Harold Hearne
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schottky barrier diode;
high voltage;
junction barrier schottky diode;
92.
Backside Nickel Based Ohmic Contacts to n-type Silicon Carbide
机译:
背面镍基欧姆接触到n型碳化硅
作者:
R. Ghandi
;
H-S. Lee
;
M. Domeij
;
C-M. Zetterling
;
M. OEstling
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ohmic contact;
Ni silicide;
93.
Comparison of Electrical Properties of Ohmic Contact Realized on p-type 4H-SiC
机译:
在p型4H-SiC上实现欧姆接触的电性能比较
作者:
D. M. Nguyen
;
C. Raynaud
;
M. Lazar
;
H. Vang
;
D. Planson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
TLM;
ohmic contacts;
surface roughness;
graphite cap;
specific resistance;
94.
Breakdown Behavior of 900-V 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Terminated with Boron-Implanted pn-Junction
机译:
硼注入pn结终止的900V 4H-SiC肖特基势垒二极管的击穿行为
作者:
Pavel A. lvanov
;
Igor V. Grekhov
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schottky-barrirer diode;
guard ring;
boron implantation;
electrical breakdown;
95.
Effect of the doping concentration and space of both p-grid and field limiting ring on 4H-SiC Junction Barrier Schottky diode with single ion implantation process
机译:
p型栅和场限制环的掺杂浓度和空间对单离子注入工艺对4H-SiC结势垒肖特基二极管的影响
作者:
In-Ho Kang
;
Jae-Yeol Song
;
Sung-Jae Joo
;
Wook Bahng
;
Sang-Cheol Kim
;
Nam-Kyun Kim
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
JBS;
single ion implantation;
96.
Structure analysis of in-grown stacking faults and investigation of the cause for high reverse current of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
机译:
4H-SiC肖特基势垒二极管内生堆叠故障的结构分析及反向电流高的原因研究
作者:
Shin Harada
;
Yasuo Namikawa
;
Ryuichi Sugie
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schottky barrier diodes;
reverse current;
In-grown stacking fault;
cathodo-luminescence;
cross-sectional transmission electron microscopy;
97.
Characterization of Schottky diodes on 4H-SiC with various off-axis angles grown by sublimation epitaxy
机译:
通过升华外延生长的各种偏轴角在4H-SiC上表征肖特基二极管
作者:
Mitsutaka Nakamura
;
Yoshikazu Hashino
;
Tomoaki Furusho
;
Hiroyuki Kinoshita
;
Hiromu Shiomi
;
Masahiro Yoshimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
sublimation epitaxy;
schottky diodes;
stacking faults;
basal plane dislocations;
98.
Schottky Barrier Diode Fabricated by MOCVD-grown Epilayer using Bis-trimethylsilylmethane Precursor
机译:
双三甲基甲硅烷基甲烷前驱体通过MOCVD生长的外延层制造的肖特基势垒二极管
作者:
Ho Keun Song
;
Jong Ho Lee
;
Myeong Sook Oh
;
Jeong Hyun Moon
;
Han Seok Seo
;
Jeong Hyuk Yim
;
Sun Young Kwon
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
MOCVD;
BTMSM;
schottky barrier diode;
99.
Device Simulation Model for Transient Analysis of SiC-SBD
机译:
SiC-SBD瞬态分析的器件仿真模型
作者:
M.Tomita
;
Y.Maeyama
;
M.Sato
;
Y.Fukuda
;
F.Honma
;
J.Ono
;
M.Shimizu
;
H.lwakuro
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
device simulation;
transient analysis;
simulation model;
SiC-SBD;
schottky barrier diode;
mobility model;
surge current;
100.
Distribution of Forward Voltage of SiC Schottky Barrier Diode Using Ti Sintering Process
机译:
Ti烧结法制备SiC肖特基势垒二极管的正向电压
作者:
K. Kuroda
;
Y. Matsuno
;
K. Ohtsuka
;
N. Yutani
;
S. Shikama
;
H. Sumitani
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
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2009年
关键词:
SiC;
power device;
shottky barrier diode;
SBD;
sintering process;
Ti;
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