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外文会议
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Symposium on materials reliability in microelectronics
Symposium on materials reliability in microelectronics
召开年:
1997
召开地:
San Francisco, CA(US)
出版时间:
-
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-
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216
条结果
1.
X-ray microbeam studies of electromigration
机译:
电迁移X射线微波研究
作者:
G. S. Cargill Ⅲ
;
A. C. Ho
;
K. J. Hwang
;
H. K. Kao
;
P. C. Wang
;
C. K. Hu
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
2.
Acoustic emission analysis of fracture events in Cu films with W overlayers
机译:
用W叠层Cu膜骨折事件的声学分析
作者:
Alex A. Volinsky
;
William W. Gerberich
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
3.
Mechanical stresses in aluminum and copper interconnect lines for 0.18μm logic technologies
机译:
铝和铜互连线的机械应力为0.18μm逻辑技术
作者:
Paul R. Besser
;
Young-Chang Joo
;
Delrose Winter
;
Minh Van Ngo
;
Richard Ortega
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
4.
Strain and texture in Al-interconnect wires measured by X-ray microbeam diffraction
机译:
通过X射线微沟衍射测量的铝互连线中的应变和纹理
作者:
Nobumichi Tamura
;
J. S. Chung
;
G. E. Ice
;
B. C. Larson
;
J. D. Budai
;
J. Z. Tischler
;
M. Yoon
;
E. L. Williams
;
W. P. Lowe
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
5.
X-ray diffraction determination of texture and stress in damascene fabricated copper interconnects
机译:
X射线衍射测定镶嵌铜互连纹理和应力
作者:
Delrose Winter
;
Paul R. Besser
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
6.
Simulation of electromigration induced atomic transport in al-Cu alloys
机译:
Al-Cu合金电迁移诱导原子输送的模拟
作者:
J. P. Dekker
;
C. Elsasser
;
P. Gumbsch
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
7.
TiB{sub}2 as a diffusion barrier for Cu
metallization
机译:
Tib {sub} 2作为Cu
金属化的扩散屏障
作者:
J. L. Wang
;
J. S. Chen
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
8.
Interconnect reliability study using a microscopic nucleation model for electromigration
机译:
使用微观成核模型进行电迁移的互连可靠性研究
作者:
M. Tammaro
;
B. Setlik
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
9.
Electrical reliability of giant magnetoresistive recording sensors
机译:
巨型磁阻记录传感器的电气可靠性
作者:
I-F.Tsu
;
C.Chang
;
H.S.Edelman
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
10.
Immortal interconnects-prevent cracking and limit void size
机译:
不朽的互连 - 防止裂缝和限制空隙尺寸
作者:
Z.Suo
;
Q.Ma
;
W.K.Meyer
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
11.
Measurement of bonding stress in silicon high power device structures by infrared photoelasticity method
机译:
红外光弹性法测量硅高功率器件结构中的粘合应力
作者:
H. J. Peng
;
S. P. Wong
;
W. F. Lau
;
N. Ke
;
Shounan Zhao
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
12.
Analytical methodology and design of advanced test structure for the mechanical characteristics of microactuator materials
机译:
微致动器材料力学特性的分析方法与设计
作者:
Se-Ho Lee
;
Byung Woo Park
;
Yukeun Pak
;
Dongil Kwon
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
13.
Electromigration voiding in argon-implanted interconnects
机译:
氩注射互连中的电迁移空缺
作者:
N. E. Meier
;
J. C. Doan
;
T. N. Marieb
;
P. A. Flinn
;
J. C. Bravman
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
14.
Electrical reliability of giant magneto-resistive recording sensors
机译:
巨型磁阻录制传感器的电气可靠性
作者:
I-Fei Tsu
;
C. Chang
;
H. S. Edelman
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
15.
In situ x-ray microbeam Cu fluorescence and strain measurements on Al(0.5at.
机译:
原位X射线Microbeam Cu荧光和菌株测量(0.5At。
作者:
H-K.Kao
;
G.S.Cargill III
;
K.J.Hwang
;
A.C.Ho
;
P-C.Wang
;
C-K.Hu
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
16.
Effects of preexisting stress voids on electromigration stress buildup and flux divergence
机译:
预先存在的应力空隙对电迁移应力累积和助焊剂发散的影响
作者:
Y. -L. Shen
;
C. A. Minor
;
Y. L. Guo
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
17.
Strain measurements in a thermally-cycled flip-chip PBGA solderball
机译:
在热循环的倒装芯片PBGA焊球中的应变测量
作者:
E. S. Drexler
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
18.
Immortal interconnects - prevent cracking and limit void size
机译:
不朽的互连 - 防止裂缝和限制空隙尺寸
作者:
Z. Suo
;
Q. Ma
;
W. K. Meyer
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
19.
Cause of the decrease in electromigration resistance in Al/Al{sub}3Ti lines
机译:
Al / Al {Sub} 3Ti线路电迁移性降低的原因
作者:
A. Kameyama
;
K. Masuzaki
;
H. Okabayashi
;
T. Sakata
;
H. Mori
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
20.
A detailed study of void motion in passivated aluminum interconnects
机译:
钝化铝合金互连空隙运动的详细研究
作者:
Jonathan C. Doan
;
John C. Bravman
;
Paul A. Flinn
;
Thomas N. Marieb
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
21.
In-situ X-ray microbeam Cu fluorescence and strain measurements on Al(0.5 AT. Cu) conductor lines during electromigration
机译:
在电迁移过程中,原位X射线MicrobeM Cu荧光和应变测量(0.5×%CU)导体线
作者:
H. K. Kao
;
G. S. Cargill Ⅲ
;
K. J. Hwang
;
A. C. Ho
;
P. C. Wang
;
C. K. Hu
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
22.
Macroscopic modeling of fine line adhesion tests
机译:
细线粘附试验的宏观造型
作者:
A. A. Volinsky
;
J. C. Nelson
;
W. W. Gerberich
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
23.
Electromigration reliability study of a GMR spin valve device
机译:
GMR旋转阀装置的电迁移可靠性研究
作者:
S. Shingubara
;
Y. Takeda
;
H. Sakue
;
T. Takahagi
;
A. H. Verbruggen
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
24.
In situ electromigration damage of Al interconnect lines and the influence of grain orientation
机译:
Al互连线的原位电迁移损坏及晶粒取向的影响
作者:
A.Buerke
;
H.Wendrock
;
T.Kotter
;
S.Menzel
;
K.Wetzig
;
A.von Glasow
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
25.
Effect of a titanium interlayer on the performance of the titanium nitride diffusion barrier
机译:
钛中间层对氮化钛扩散屏障性能的影响
作者:
K. Y. Lu
;
J. S. Chen
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
26.
Electromigration in sputter deposited copper/zirconium alloys
机译:
溅射沉积铜/锆合金的电迁移
作者:
N. D. McCusker
;
H. S. Gamble
;
B. M. Armstrong
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
27.
Diffusion barrier characteristics of zirconium diboride films grown by remote plasma CVD
机译:
远程等离子体CVD生长的锆二硼膜膜的扩散阻挡特性
作者:
J. Sung
;
D. M. Goedde
;
G. S. Girolami
;
J. R. Abelson
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
28.
Environmental effects on Cu/SiO_2 and Cu/Ti/SiO_2 thin film adhesion
机译:
对Cu / SiO_2和Cu / Ti / SiO_2薄膜粘附的环境影响
作者:
N.I.Tymiak
;
M.Li
;
A.A.Volinsky
;
Y.Katz
;
W.W.Gerberich
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
29.
Homogeneous ultrathin diffusion barriers deposited on low dielectric constant polymers
机译:
沉积在低介电常数聚合物上的均相超薄扩散屏障
作者:
M. Kiene
;
P. P. Abramowitz
;
P. S. Ho
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
30.
Effect of Cu on Al interfacial mass transport in bamboo rie and damascene Al(Cu)
机译:
Cu对竹仁山脉(Cu)中Al界面大规模运输的影响
作者:
J. Proost
;
H. Li
;
A. Witvrouw
;
K. Maex
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
31.
On the methodology of numerical etching
机译:
论数值蚀刻的方法论
作者:
X. H. Wang
;
K. Shyu
;
C. T. Chang
;
D. W. Zheng
;
Weijia Wen
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
32.
Measurement of toughness for sin films on silicon using channel cracking technique
机译:
利用通道开裂技术测量硅硅胶片的韧性
作者:
Qing Ma
;
Quan Tran
;
Brad Sun
;
Safaa El-Mansy
;
Julie Sun
;
Harry Fujimoto
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
33.
Effects of thickness and oxygen content on thermomechanical behavior of thin Cu films passivated with ain
机译:
厚度和氧气含量对AIN钝化薄铜膜热机械性能的影响
作者:
J. Shu
;
S. Clyburn
;
T. Mates
;
S. P. Baker
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
34.
Effect of modified metal/passivation interfaces on stress voiding in interconnects
机译:
改性金属/钝化界面对互连中应力缺陷的影响
作者:
C. K. Kalnas
;
R. R. Keller
;
J. M. Phelps
;
T. N. Marieb
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
35.
Adhesion and progressive debonding of polymer/metal interfaces: effects of temperature and environment
机译:
聚合物/金属界面的粘附和渐进式剥离:温度和环境的影响
作者:
Seung Yeop Kook
;
Amol Kirtikar
;
Reinhold H. Dauskardt
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
36.
Fatigue of silane bonded epoxy/glass interfaces
机译:
硅烷键合环氧树脂/玻璃界面的疲劳
作者:
J. E. Ritter
;
J. C. Learned
;
G. S. Jacome
;
T. P. Russell
;
T. J. Lardner
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
37.
The effect of film stress on indentation modulus/hardness for silicon oxide films
机译:
薄膜应力对氧化硅膜压痕模量/硬度的影响
作者:
Brad Sun
;
Jin Lee
;
Patrick Kofron
;
Qing Ma
;
Jun He
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
38.
Determination of the coefficient of piezoresistivity in aluminum alloy interconnect structures
机译:
铝合金互连结构中压阻率系数的测定
作者:
Christopher J. Reilly
;
John E. Sanchez Jr
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
39.
Reliability of electroless processed thin layered solder joints
机译:
化学镜头可靠性加工薄层焊点
作者:
L. C. Wang
;
Z. Mei
;
R. H. Dauskardt
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
40.
Interconnect failure mechanism maps for different metallization materials and processes
机译:
用于不同金属化材料和工艺的互连故障机制图
作者:
V. K. Andleigh
;
Y. J. Park
;
C. V. Thompson
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
41.
Environmental effects on Cu/SiO{sub}2 and Cu/Ti/SiO{sub}2 thin film adhesion
机译:
Cu / SiO {Sub} 2和Cu / Ti / SiO {Sub} 2薄膜粘附的环境效应
作者:
N. I. Tymiak
;
M. Li
;
A. A. Volinsky
;
Y. Katz
;
W. W. Gerberich
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
42.
TiB_2 as a diffusion barrier for Cu/
metallization
机译:
TIB_2作为Cu /
金属化的扩散屏障
作者:
J.L.Wang
;
J.S.Chen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
43.
Fracture of a lead-tin and a tin-silver solder under combined tensile shear loading
机译:
铅锡和锡 - 银焊料的骨折在组合拉伸剪切负载下
作者:
M. Manoharan
;
K. S. Siow
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
44.
Interfacial diffusivity of moisture along a SiO{sub}2/TiN interface measured using imaging secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
机译:
使用成像二次离子质谱(SIMS)测量的SIO {SUB} 2 / TIN接口的互流扩散性
作者:
Guanghai Xu
;
T. E. Mates
;
D. R. Clarke
;
Qing Ma
;
Harry Fujimoto
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
45.
Kinetics of the TiAl{sub}3 formation from Al/Ti thin films
机译:
尾部的动力学{sub} 3从Al /薄膜形成
作者:
X. Federspiel
;
M. Ignat
;
F. Voiron
;
H. Fujimoto
;
T. Marieb
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
46.
In situ stem technique for characterization of nanoscale interconnects during electromigration testing
机译:
在电迁移测试期间纳米级互连表征的原位干技术
作者:
Ismail Gobulukoglu
;
Brian W. Robertson
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
47.
Evaluation of current ramp test for in-line electromigration test
机译:
在线电迁移试验的电流斜坡试验评价
作者:
Kia Seng Low
;
Alex v. Glasow
;
Hans Poetzlberger
;
Anthony ONeill
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
48.
Kinetics of the TiAl_3 formation from Al/Ti thin films
机译:
Al / Ti薄膜Tial_3形成的动力学
作者:
X.Federspiel
;
M.Ignat
;
F.Voiron
;
H.Fujimoto
;
T.Marieb
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
49.
Measurement of thin film mechanical properties by microbeam bending
机译:
微沟弯曲测量薄膜机械性能
作者:
J. Florando
;
H. Fujimoto
;
Q. Ma
;
O. Kraft
;
R. Schwaiger
;
W. D. Nix
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
50.
Electromigration testing of via terminated test structures
机译:
通过终止测试结构的电迁移测试
作者:
Kia Seng Low
;
Hans Poetzlberger
;
Anthony ONeill
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
51.
X-ray microbeam measurement of local texture and strain in metals
机译:
X射线微沟测量局部质地和金属菌株的测量
作者:
Jin-Seok Chung
;
N. Tamura
;
G. E. Ice
;
B. C. Larson
;
J. D. Budai
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
52.
Subcritical debonding of multilayer interconnect structures: temperature and humidity effects
机译:
多层互连结构的亚临界剥离:温度和湿度效应
作者:
Michael Lane
;
Reiner Dauskardt
;
Qing Ma
;
Harry Fujimoto
;
Nety Krishna
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
53.
Characteristics of molybdenum nitride thin film by N{sup}+{sub}2 ion implantation
机译:
n {sup} + {sub} 2离子植入氮化钼薄膜的特性
作者:
Dong Joon Kim
;
Ik-Soo Kim
;
Yong Tae Kim
;
Jong Wan Park
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
54.
Diffusion barrier characteristics of xirconium diboride films grown by remote plasma CVD
机译:
远程等离子体CVD生长XIR锆二硼膜的扩散阻挡特性
作者:
J.Sung
;
D.M.Goedde
;
G.S.Girolami
;
J.R.Abelson
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
55.
In-situ electromigration damage of Al interconnect lines and the influence of grain orientation
机译:
Al互连线的原位电迁移损坏及晶粒取向的影响
作者:
A. Buerke
;
H. Wendrock
;
T. Kotter
;
S. Menzel
;
K. Wetzig
;
A. v. Glasow
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1999年
56.
On the interaction between indentationcracks on metallized silicon
机译:
关于金属化硅缩进围流的相互作用
作者:
M.Manoharan
;
G.Muralidharan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
57.
Grain growth by DIGM in Ni thin film under high tensile stress
机译:
高拉伸应力下Ni薄膜中的晶粒生长
作者:
Zhengyi Jia
;
G.Z.Pan
;
K.N.Tu
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
58.
TEM observations on the evolutionof grain structure in pressurized Al-0.5Cu thin films
机译:
关于加压Al-0.5Cu薄膜晶粒结构演化的TEM观察
作者:
H.D.Yang
;
C-U.Kim
;
M.Saran
;
H.A.Le
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
59.
Measuring local strain variations full-field in photoresist thin films using photolithographic dot arrays
机译:
使用光刻点阵列测量光致抗蚀剂薄膜中的局部应变变型全场
作者:
P.P.Lin
;
R.E.Rowlands
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
60.
Modelling electromigration and stress migration damage in advanced interconnect structures
机译:
高级互连结构建模电迁移和应力迁移损坏
作者:
Dirk Brown
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
61.
Early detection of the metallization quality using moderately accelerated electromigration stress conditions
机译:
使用中度加速电迁移应力条件早期检测金属化质量
作者:
A.Scorxoni
;
I.De Munari
;
M.Impronta
;
R.Balboni
;
R.Balboni
;
N.Kelaidis
;
S.Foley
;
M.Forde
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
62.
Thermomechanical behavior of continuous and patterned Al thin films
机译:
连续和图案薄膜的热机械行为
作者:
O.Kraft
;
W.D.Nix
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
63.
FEM analysis of thermal stresses in advanced electronic packages
机译:
高级电子包装中热应力的有限元分析
作者:
Sven Rzepka
;
Matt A.Korhonen
;
Che-Yu Li
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
64.
Determination of the effects of strain on electrical resistivity in patterned interconnects
机译:
测定应变对图案互连中电阻率的影响
作者:
John E.Sanchez
;
Christopher J.Reilly
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
65.
Cracking and debonding in integrated microstructures
机译:
集成微观结构的开裂和剥离
作者:
X.H.Liu
;
Z.Suo
;
Q.Ma
;
H.Fujimoto
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
66.
Deformation mechanisms in thin Cu films
机译:
薄Cu膜中的变形机制
作者:
Shefford P.Baker
;
Rose-Marie Keller
;
Andre Kretschmenn
;
Eduard Arzt
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
67.
Modelling of failure time distributions for interconnects due to stress voiding and electromigration
机译:
由于应力缺点和电迁移,互连的故障时间分布建模
作者:
W.G.Wolfer
;
M.C.Bartelt
;
J.J.Dike
;
J.J.Hoyt
;
R.J.Gleixner
;
W.D.Nix
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
68.
The effects of microstructures on normal and early failures of interconnects caused by electromigration
机译:
微观结构对电迁移引起的互连正常和早期故障的影响
作者:
Yongkun Li
;
R.J.Diefendorf
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
69.
A quantitative study of void nucleation times in passivated aluminum interconnects
机译:
钝化铝互连中的空隙成核时间的定量研究
作者:
Jonathan C.Doan
;
John C.Bravman
;
Paul A.Flinn
;
Thomas N.Marieb
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
70.
Investigations of electromigration failure by electrical measurement and scanning probe microscopy with additional simulation
机译:
通过电气测量和扫描探针显微镜进行电迁移失效,具有额外模拟
作者:
Alexander Fabriclus
;
Volkmar Bretermitz
;
Christian Knedlik
;
Andreas Henning
;
Eckhard Liebscher
;
Slvia Vogel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
71.
Electric field driect force in electromigration mechanism
机译:
电迁移机制中的电场DRIECT力
作者:
A.A.Karpushin
;
A.N.Sorokin
;
M.R.Baklanov
;
K.Maex
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
72.
Quantitative measure of EM-induced driff in sub-micron Al lines
机译:
亚微米Al线中EM诱导驱动的定量测量
作者:
C.Witt
;
C.A.Volkert
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
73.
Analysis of failure in metallic thin-film interconnects due to stress and electromigration-induced void propagation
机译:
由于应力和电迁移诱导的空隙传播,金属薄膜互连失效分析
作者:
M.Rauf Gungor
;
Leonard J.Gray
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
74.
The electromigration of CVD-copper and PVD-copper polycrystalline lines
机译:
CVD-铜和PVD-铜多晶线的电迁移
作者:
Seok Kim
;
Doo-Jin Choi
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
75.
The reliability assessment of flip chip type solder joints based on the damage integral approach
机译:
基于损伤整体方法的倒装芯片型焊点的可靠性评估
作者:
Feng Su
;
Chen Zhou
;
Sven Rzepka
;
Matt Korhonen
;
Che-Yu Li
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
76.
Novel electromigration failure mechanism for aluminlum-based metallization on titanium substrate
机译:
钛衬底基于铝金属化的新型电迁移失效机制
作者:
G.Girardi
;
C.Caprile
;
F.Cazzaniga
;
L.Riva
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
77.
Electromigation damage in aluminum alloys studied by l/f noise
机译:
L / F噪声研究的铝合金电气损坏
作者:
C.A.Kruelle
;
E.Ochs
;
H.Stoll
;
A.Seeger
;
I.Bloom
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
78.
Electromigrationfailure kinetics in Al alloy lines: a microstructure-based constitutive equation
机译:
Al合金线中的电扫除动力学:基于微观结构的本构型方程
作者:
S.H.Kang
;
J.W.Morris
;
C-U.Kim
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
79.
Grain structure statistics in As-patterned and annealed interconnects
机译:
谷物结构统计数据以仿形和退火互连
作者:
W.Fayad
;
V.Andleigh
;
C.V.Thompson
;
H.J.Frost
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
80.
Dependence of stress-related reliability of metallic power line on physical properties of its overlayer, chip location and package structure in memory devices
机译:
金属电力线应力相关可靠性对存储器覆盖,芯片位置和包装结构的物理性质
作者:
Seong-Min Lee
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
81.
Electromigration and diffusionin short Al-Ni-Cr lines
机译:
电迁移和扩散素短AL-NI-CR线
作者:
L.C.Jacobs
;
A.H.Verbruggen
;
A.J.Kalkman
;
S.Radelaar
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
82.
Defect generation and diffusionmechanisms in Al and Al-Cu
机译:
Al和Al-Cu中的缺陷生成和扩散机制
作者:
C-L.Liu
;
X-Y.Liu
;
L.J.Borucki
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
83.
Model for estimation of metallization lifetime including electromigration and thermo-mechanical stress relaxation
机译:
金属化寿命估计模型,包括电迁移和热机械应力松弛
作者:
Herbert F.Roloff
;
Johannes Fellinger
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
84.
Modelling of heat conduction and thermal stersses in multilevel interconnects
机译:
多级互连中的热传导和热转板的建模
作者:
Y-L.Shen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
85.
The effects of passivation thickness and initial aluminum line stress on electromigration behavior
机译:
钝化厚度和初始铝力线应力对电迁移行为的影响
作者:
Samantha Lee
;
John C.Bravman
;
Paul A.Flinn
;
Tom N.Marieb
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
86.
Statistical evaluation of stressmigration reliability in Al-Cu interconnects
机译:
Al-Cu互连应力迁移可靠性的统计评估
作者:
D.Jawarant
;
M.Gall
;
C.Capasso
;
J.Muller
;
R.Hernandez
;
H.Kawasaki
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
87.
Segregation of Cu on etched and non-etched Al(Cu) surface
机译:
Cu对蚀刻和非蚀刻Al(Cu)表面的偏析
作者:
Hua Li
;
Karen Maex
;
Bert Brijs
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
88.
Electromigration-induced drift in damascene vs. conventional interconnects: an intrinsic difference
机译:
达摩世 - 常规互连的电迁移诱导的漂移:内在差异
作者:
J.Proost
;
I.Samajdar
;
A.Witvrouw
;
K.Maex
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
89.
Effect of poly-Si on electromigration behaviors and microstructure characteristics of Au metallization
机译:
多Si对Au金属化电迁移行为的影响和微观结构特征
作者:
T.Lee
;
B.R.York
;
B.Lindgren
;
H.Kentzinger
;
J.Lee
;
C.Christenson
;
C.Varker
;
K.Evans
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
90.
The stress change in passivated Al lines due to the reaction between Ti and Al
机译:
由于Ti和Al之间的反应,钝化Al线的应力变化
作者:
T.Marieb
;
A.Mack
;
J.Lee
;
M.DiBattista
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
91.
Effect of thermal treatment on the hardness and fracture toughness of sputter deposited Bi-layered thin films on silicon
机译:
热处理对硅溅射沉积双层薄膜硬度和断裂韧性的影响
作者:
M.Manoharan
;
B.Narayanan
;
G.Muralidharan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
92.
Diffusion and electromigration of Cu in single crystal Al interconnects
机译:
Cu在单晶Al互连中的扩散和电迁移
作者:
V.T.Srikar
;
C.V.Thompson
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1998年
93.
Identification of the microscopic structure of new hot carrier damage centers in short channel mosfets
机译:
鉴定短通道mosfets中新的热载流子损伤中心的微观结构
作者:
C.A.Billman
;
P.M.Lenahan
;
W.Weber
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
94.
Nanoindentation hardness of soft films on hard substrates: effects of the substrate
机译:
硬质基材上软膜的纳米压痕硬度:基材的影响
作者:
T.Y.Tsui
;
C.A.Ross
;
G.M.Pharr
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
95.
Early morphological changes in Al lines during current stressing
机译:
电流胁迫下铝线的早期形态变化
作者:
H.Schuhrer
;
H.Brucki
;
G.Reiss
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
96.
Observation of electromigration voiding in Cu lines
机译:
铜线中电迁移空隙的观察
作者:
Seok-Hee Lee
;
John C.Bravman
;
Paul A. Flinn
;
Lucile Arnaud
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
97.
Organic contamination of silicon wafer in clean room air and its impact to gate oxide integrity
机译:
洁净室空气中硅晶片的有机污染及其对栅极氧化物完整性的影响
作者:
D.Imafuku
;
W.Mizubayashi
;
S.Miyazaki
;
M.Hirose
;
Y.Wakayama
;
S.Kobayashi
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
98.
An examination of mass transport paths in conventional and highly textured Al-Cu interconnect lines
机译:
检查常规和高度织构的Al-Cu互连线中的传质路径
作者:
R.J.Gleixner
;
H.Kaneko
;
M.Matsuo
;
H.Toyoda
;
W.D.Nix
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
99.
Behaviors of precipitates,voids,and hillocks in electromigration stressed Al-2wt
机译:
Al-2wt电迁移过程中析出物,空隙和小丘的行为
作者:
D.E.Grosjean
;
H.Okabayashi
;
M.Komatsu
;
H.Mori
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
100.
Characterization of hole traps generated by electron injection in thin SiO_2 films
机译:
SiO_2薄膜中电子注入产生的空穴陷阱的表征
作者:
Tomasz Brozek
;
Eric B.Lum
;
Chand R.Viswanathan
会议名称:
《Symposium on materials reliability in microelectronics》
|
1997年
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