点缺陷、面缺陷、体缺陷属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有25篇等,点缺陷、面缺陷、体缺陷的主要作者有赵辉、孟亭、宋兆涛,点缺陷、面缺陷、体缺陷的主要机构有天津师范大学、鞍山师范学院、鞍山师范学院物理系等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要: 高镍层状氧化物正极材料的热失控现象是制约锂离子电池发展的重大安全隐患,然而目前针对高镍材料热稳定性的研究普遍缺乏原子尺度的探究.本文以LiNiO2(LNO)为...
2.[期刊]
摘要: 本文通过电子显微技术对金属氧化物的畴结构进行静态表征,并对其微观力学形变机理进行研究.(1)利用电子衍射和球差校正透射电子显微技术,对Mg-Al-O的畴结构以...
3.[期刊]
La2/3Sr1/3MnO3薄膜中反相畴界面的原子结构和成分研究
摘要: 本文采用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)方法在LaAlO3单晶衬底上外延生长了La2/3Sr1/3MnO3薄膜.利用像差...
4.[期刊]
摘要: 解析具有复杂结构的材料内部缺陷特征是理解材料变形机理的前提.本文针对高温变形后的Laves相Cr2Nb,利用像差校正电子显微镜的高分辨成像技术分析Cr2Nb(...
5.[期刊]
摘要: 利用二维蜂窝晶格介质柱型光子晶体,设计一种带有微腔结构的光子晶体偏振分束器.采用平面波展开法计算该结构的光子带隙,并使用时域有限差分法得到其电场分布图和透射率...
6.[期刊]
摘要: 滑移线产生于外延生长过程和升降温过程,片内某些点的应力总值大于外界临界应力总值。生长过程中伴随着生长应力(机械应力),升降温过程带有热应力。生长应力的成因是由...
7.[期刊]
摘要: 本文在理想情况下晶体中热缺陷产生复合经典理论的基础上,在描述正常格点原子形成间隙原子的过程中考虑晶体结构和晶格配位数对危险点数目的影响,依次修正晶体中危险点的...
8.[期刊]
摘要: 在广义梯度近似(GGA)下,利用超软赝势对理想PbTiO3晶体(以下简称理想晶体)和PbTiO3的OⅠ空位晶体(以下简称OⅠ晶体)的电子云重叠布局数.态密度和...
9.[期刊]
摘要: 晴好天气下,测定2种蔷薇科植物珍珠梅(Sorbaria sorbifolia A.Br)和榆叶梅(Prunus triloba Lindl.)茎直径、木质部直...
10.[期刊]
摘要: 利用第一性原理对BaZrO3块材的OⅠ空位进行研究.结果表明:由于存在OⅠ空位,O原子2p轨道电子与Ba原子4d轨道电子具有强烈的杂化,造成O原子向氧空位弛豫...
11.[期刊]
摘要: 在广义梯度近似(GGA)下,利用超软赝势(USP)对理想PbTiO3晶体(以下简称理想晶体)和OⅡ空位PbTiO3晶体(以下简称OⅡ晶体)的电子云重叠布局数、...
12.[期刊]
摘要: 利用第一性原理对BaZrO3块材的OⅡ空位进行研究.由于存在OⅡ空位,O原子分别与Zr原子和Ba原子发生相互作用,原子弛豫改变晶体的结构,从而使晶常数格a,b...
13.[期刊]
摘要: 运用基于分子间相互作用及Y. Mishin的EAM势,计算得到铜的空位形成能为1.272 eV与实验值符合.对5×5×5、6×6×6、7×7×7、8×8×8各...
14.[期刊]
摘要: 采用自组装方法制作三维光子晶体及其反相结构,并将自组装方法与光刻技术联合,制备出具有各种缺陷的三维光子晶体.SEM显示出晶体具有较高质量,缺陷层也具有均匀性.
15.[期刊]
摘要: 采用时域有限差分方法,将麦氏方程转变为差分方程,并以三维光子晶体的点缺陷和面缺陷为例,分析了电磁波在缺陷中的传输特点.结果表明,缺陷球粒的大小,缺陷层的厚度,...
16.[期刊]
热处理温度对La0.75Sr0.25Mn0.95△0.05O3中B位空位含量的影响
摘要: 为了解决在空气条件下热处理温度和次数对含有B位空位锰氧化物La0.75Sr0.25Mn0.95△0.05O3中氧含量影响的物理问题,采用改进的溶胶凝胶法,成功...
17.[期刊]
摘要: The divertor plates in the International Thermonuclear Experimental Reactor ( I...
18.[期刊]
摘要: SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构...
19.[期刊]
摘要: 本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律.指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的...
20.[期刊]
摘要: 用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZn...