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葛秀涛; 刘杏芹;
滁州学院,化学系,安徽,滁州,239012;
中国科学技术大学材料科学与工程系,安徽,合肥,230026;
Zn2+掺杂; In1.95Zn0.05O3固溶体; 电导; 酒精敏传感器;
机译:稀土元素掺杂对三维有序大孔In2O3乙醇气敏性能的影响
机译:Cu掺杂的结构效应和Ti,Zr和Ge掺杂的电子效应对In2O3和Sn掺杂的In2O3陶瓷物理性能的影响
机译:钒基掺杂锌硼酸锌玻璃的结构研究和直流电导率
机译:通过分子束外延研究掺杂的氧化锌的n型和p型电导率。
机译:具有低载流子密度的透明掺杂锌的In2O3薄膜的超导性
机译:掺杂和未掺杂Mg的In2O3单晶薄膜的电导率和气敏特性:体与表面
机译:沉积过程中O2压力对射频溅射sn掺杂In2O3薄膜性能的影响。
机译:掺杂掺杂的氧化锌颗粒,含镓掺杂的氧化锌颗粒,透明导电膜,电子器件和生产镓掺杂氧化锌颗粒的方法
机译:制备掺杂有氧化锌的玻璃涂层的方法,低电阻率,在大气压力下气相沉积的方法,以制备掺杂有氧化锌的玻璃制品的方法,在压力为Sf的条件下气相沉积。 u00e9rica制备涂覆有氧化锌掺杂玻璃的制品和制品
机译:制备金属掺杂的氧化锌,包括蒸发金属锌或锌前体化合物,蒸发包含掺杂金属的有机金属化合物形式的掺杂剂以及将所得气态原料合并
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