机译:比较自适应主体偏置(ABB)和自适应电源电压(ASV)以在存在工艺变化的情况下改善延迟和泄漏
Dept. of Electr. & Comput. Eng., Colorado State Univ., Fort Collins, CO, USA;
VLSI; integrated circuit yield; leakage currents; delays; adaptive body bias; adaptive supply voltage; delay; postsilicon tuning; leakage current; process variation; power consumption; technology scaling; VLSI circuit; yield;
机译:比较自适应主体偏置(ABB)和自适应电源电压(ASV)以在存在工艺变化的情况下改善延迟和泄漏
机译:自适应体偏置(ABB)和自适应电源电压(ASV)的比较来提高过程变化的存在下延迟和泄漏
机译:自适应电源电压和主体偏置的有效性,可减少低功耗和高性能微处理器中参数变化的影响
机译:自适应电源电压和主体偏置的有效性,可减少低功耗和高性能微处理器中参数变化的影响
机译:结合可变电源电压和自适应主体偏置的CMOS电路的分析,优化和建模。
机译:与自动管电压适应相比最低管电压(70 kV)的颈动脉CTA
机译:低成本的单井自适应体偏置(IWaBB)方案,用于在存在管芯内变化的情况下降低漏电功率和提高性能
机译:移动干扰下的Howells-applebaum算法分析。格子滤波器在自适应阵列处理器中的应用。 Lms自适应滤波器的稳定性分析。具有移动干扰的自适应阵列处理器。