机译:高级块式FinFET SRAM中的外部器件和泄漏机制
GLOBALFOUNDRIES Malta NY 12020 USA;
GLOBALFOUNDRIES Austin TX 78735 USA;
Drain-induced barrier lowering; local layout effect; static noise margin; SRAM; standby leakage; static power; statistics; technology scaling; variation; Vmin; write margin; yield;
机译:使用块状CMOS和FinFET的8T低压低泄漏半选择无干扰SRAM
机译:超小型FDSOI,DGSOI和FinFET器件中隧道泄漏机理的多子带集成蒙特卡罗分析
机译:14 nm散装FinFET技术中倒装芯片封装SRAM装置的重离子诱导单事件镦锻响应的角度效应
机译:识别源排水泄漏的根本原因导致高级散装FinFET设备的软盘
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析