机译:基于运行时可重构场效应晶体管的高效电路设计
Tech Univ Dresden, Ctr Adv Elect Dresden, D-01169 Dresden, Germany;
NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, Ctr Adv Elect Dresden, D-01169 Dresden, Germany;
NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany|Tech Univ Dresden, IHM, D-01187 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, Ctr Adv Elect Dresden, D-01169 Dresden, Germany|NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany;
Tech Univ Dresden, Ctr Adv Elect Dresden, D-01169 Dresden, Germany;
Functionally enhanced logic gates; multi-independent gate reconfigurable field-effect transistor (MIGRFET); RFET; reconfigurable transistor; silicon nanowire (SiNW) transistor; three-independent gate field-effect transistor (TIGFET);
机译:使用标准SiGe工艺制造的金属氧化物半导体场效应晶体管双极结晶体管负微分电阻电路的三值存储电路
机译:基于化学气相沉积衍生的单层MoS2的高迁移率顶栅场效应晶体管和集成电路
机译:基于异质结构场效应晶体管的微波单片集成电路中的瞬态辐射效应:实验和模型
机译:基于单门可重构场效应晶体管的可重构电路
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于低浓度甲烷气体检测的耦合p + n场效应晶体管电路
机译:基于单个单壁碳纳米管场效应晶体管的集成电路
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路。