電子線後方散乱法による圧電セラミックスの結晶形態分析とrnそれを用いたマルチスケール有限要素解析

摘要

様々な機械?電子デバイスのアクチュエータとしてrn多用される圧電セラミックスは，多数の結晶粒の集合rn組織を有する．各結晶粒は機械的および電気的に顕著rnな異方性を示すことから，マクロ特性はミクロ結晶形rn態に強く依存する．ミクロ結晶形態の分析には，走査rn型電子顕微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope）のrn鏡筒内に設置した試料に電子線を照射し，後方散乱電rn子回折（EBSD：Electron Backscatter Diffaction）像かrnら各結晶粒の方位を解析するSEM?EBSD法が有rn力である．