机译:在降低的温度下在GaN模板上外延生长的InGaN薄膜中的螺旋型表面缺陷
Department of Chemical Engineering, 147 Snell Engineering Laboratories, Northeastern University, 250 Egan Research Center, Boston, MA 02115, USA;
surface detects; atomic force microscopy; metalorganic vapor phase epitaxy; indium gallium nitride;
机译:降低温度下在GaN模板上外延生长的GaN薄膜中的螺旋型表面缺陷
机译:缺陷减少了选择性生长的GaN金字塔,作为绿色InGaN量子阱的模板
机译:通过PLD和MOCVD的组合方法在Si衬底上产生的GaN外延膜的生长机制
机译:在降低的温度下外延生长在GaN模板上的GaN和InGaN薄膜中的螺旋型表面缺陷
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:GaN起始表面对外延Co薄膜缺陷形成的影响