机译:氮氧化钽薄膜镀银的扩散势垒和电性能的评估
Department of Chemical and Materials Engineering, NSF Center for Low Power Electronics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-6006, USA;
diffusion barrier; electrical properties and measurements; silver metallization;
机译:离子化金属等离子体沉积氮化钽薄膜在铜和二氧化硅之间的扩散阻挡性能
机译:离子化金属等离子体沉积氮化钽薄膜在铜和二氧化硅之间的扩散阻挡特性
机译:使用大功率脉冲反应磁控溅射制备钽氮化钽薄膜的微观结构和电性能
机译:钽氮化物薄膜的化学气相沉积使用五丁基(乙基甲基氨基)钽(PEMAT)作为Cu金属化的扩散屏障:离子束轰击的热分解和影响
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:SmNiO3应变薄膜的金属-绝缘体转变:结构电和光学性质
机译:通过脉冲反应性气体溅射沉积的氧氮化钽薄膜的光学,电学和机械性能