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Radiotracer diffusion of Ag in Cu(In,Ga)Se-2 thin films

机译:Ag在Cu(In,Ga)Se-2薄膜中的放射性示踪扩散

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摘要

Diffusion of Ag in Cu(In,Ga)Se-2 was investigated utilizing radiotracer sputter-profiling of Ag-110m. After removal of the CdS capping layer the 110mAg isotope was deposited on the front-surface of the Cu(In,Ga)Se-2 layer and the samples were subjected to isothermal annealing in a temperature interval ranging from 573 K up to 648 K. The observed Ag diffusivity can be described by the following Arrhenius equation D(T) = 0.12 exp (-1.29 eV/k(B)T) cm(2)/s. Comparison-with the diffusivities of Zn, Cd and Fe in Cu(In,Ga)Se-2 in the investigated temperature regime reveals similiar activation energies, but a larger pre-exponential factor for Ag diffusion resulting in accelerated diffusion kinetics. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:利用Ag-110m的放射性示踪溅射分析研究了Ag在Cu(In,Ga)Se-2中的扩散。去除CdS覆盖层后,将110mAg同位素沉积在Cu(In,Ga)Se-2层的前表面上,并在573 K至648 K的温度范围内对样品进行等温退火。可以通过以下Arrhenius方程D(T)= 0.12 exp(-1.29 eV / k(B)T)cm(2)/ s描述观察到的Ag扩散率。在研究的温度范围内,与Zn,Cd和Fe在Cu(In,Ga)Se-2中的扩散率进行比较,可以发现相似的活化能,但是Ag扩散的较大指数前因子导致加速扩散动力学。 (C)2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

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