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Se InGaSe/Cu CIGS Fabrication of CIGS thin film from Se-deficient stacked InGaSe/Cu precursors

机译:Se InGaSe / Cu CIGS由缺乏硒的堆叠式InGaSe / Cu前驱体制备CIGS薄膜

摘要

The present invention relates to a CIGS thin film manufacturing method and a solar cell including the CIGS thin film which is a light absorbing layer of the solar cell thus manufactured. The present invention solves the problem of adsorption to the substrate caused by the selenization process by growing the CIGS thin film without supplying the external Se by using the (In, Ga) Se / Cu laminate precursor structure containing Se, , And by applying this process, a large-area thin film solar cell having excellent reproducibility can be manufactured.
机译:CIGS薄膜的制造方法以及太阳能电池技术领域本发明涉及CIGS薄膜的制造方法以及具有CIGS薄膜的太阳能电池,其中,CIGS薄膜是这样制造的太阳能电池的光吸收层。本发明通过使用不含有Se的(In,Ga)Se / Cu叠层前体结构,并且通过应用该方法来生长CIGS薄膜而不提供外部Se,解决了由硒化过程引起的对衬底的吸附问题。因此,可以制造再现性优异的大面积的薄膜太阳能电池。

著录项

  • 公开/公告号KR101633024B1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20140097271

  • 发明设计人 안병태;정광선;신동협;권혁상;

    申请日2014-07-30

  • 分类号H01L31/0749;H01L31/0256;H01L31/04;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:12:22

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