表面波プラズマ装置と新直流バイアス印加法を用いた薄膜ナノクリスタルダイヤモンド低気圧合成

摘要

この研究で明らかにしたように，表面波プラズマCVD装 置において，基板は接地とする一方，電子温度の高い誘電体 窓下部に導波路を兼用する電極（上部電極）を設置し，それに 負バイアスを印加することによって，バルク部の電子温度を 2eV以下にまでさげられ，またシース電位に相当する空間 電位を基板電位である接地電位に対して5 V程度まで近付 けることができた。