机译:氧在6H-SiC(0001)上的振动信号
机译:Si终止的6H-SiC(0001)上生长的外延石墨烯的特征
机译:6H-SiC(0001)表面的弛豫和6H-SiC(0001)上的Si吸附:从头算研究
机译:氧对6H-SiC(0001)表面Hf薄膜生长的影响
机译:TEM研究AlN / Al_2O_3(0001)与AlN / 6H-SiC(0001)界面弛豫的比较
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:在化学气相沉积期间加入HCl在轴上的6H-SiC上产生6H-SiC的控制生长在轴上(0001)基板上