机译:在化学气相沉积期间加入HCl在轴上的6H-SiC上产生6H-SiC的控制生长在轴上(0001)基板上
机译:生长期间加入HCl对6H-SiC(0001)轴进行多型控制的SiC外延
机译:化学气相沉积法在近轴(0001)面上的6H-SiC同质外延第二部分:表面台阶的演变
机译:化学气相沉积法在近轴(0001)面上6H-SiC的同质外延第Ⅰ部分:C / Si比对不含3C-SiC夹杂物的广域同质外延的影响
机译:化学气相沉积法在近轴(0001)上大面积均质外延生长6H-SiC
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:通过HCl气体蚀刻在表面可控6H-SiC衬底上生长绝缘AlN的分子束外延生长