机译:Al在InAs(001)上诱导(2×4)重建的阳离子-阴离子混合二聚体结构
National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0044, Japan;
reflection high-energy electron diffraction; (RHEED); reflectance difference spectroscopy; scanning tunneling microscopy; indium arsenide; surface structure;
机译:InAs单层封盖后未发现的GaAs(001)上的大规模原子排序:(12×6)重构的原子结构
机译:Inas / inp(001)异质外延中的纳米结构形成:表面重建的重要性
机译:GaAs(001)上生长的亚单层InAs表面重构的理论研究
机译:通过Arpes研究端接的INAS 001 -C(4X4)和INAS 001-(4X2)C(8X2)表面上的原子结构
机译:铁(001)/氧化镁(001)/铁(001)隧穿磁阻结构的原子能级表征和自旋极化扫描隧道显微镜。
机译:InAs(001)的表面重建取决于密度泛函热力学检查的压力和温度
机译:(001)InP上InAs量子线的表征:朝着具有稳定极化的VCSEL结构的实现