机译:在裸露和氧化的Si(001)和Si(111)衬底上外延生长的Ge层的表面形态
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk 630090, Russia Novosibirsk State University, Novosibirsk 630090, Russia;
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Ge/Si heterostructures; Surface morphology; Scanning tunneling microscopy;
机译:通过分子束外延在Si(001)和Ge(001)衬底上生长的SiGe外延层的结构研究:Ⅱ-透射电子显微镜和原子力显微镜
机译:通过分子束外延在Si(001)和Ge(001)衬底上生长的SiGe外延层的结构研究:Ⅰ-高分辨率x射线衍射和x射线形貌
机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
机译:MgO(111)和(001)衬底上外延Ni膜的结构和表面形态:高质量单域膜的生长
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:(001)-和(111)-SrTiO3衬底上生长的多铁性LaFeO3-YMnO3多层膜的显微结构表征
机译:反应磁控溅射沉积生长的VN(001),(011)和(111)外延层的弹性常数,泊松比和弹性各向异性