ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InAlGaPAs/GaAs

摘要

The influence of growing conditions on structural perfection of thin-film InAlGaPAs/GaAs heterostructures is discussed. Main parameters of the growing process are determined: the growth temperature and its gradient, the thickness of the liquid zone, the matching of the lattice parameters and coefficients of thermal expansion of the layer and substrate, and density of dislocations in the substrate.%Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетеро-структур InAlGaPAs/GaAs. Определены основные параметры выращивания: температура роста и ее градиент, толщина жидкой зоны, согласование параметров решетки и коэффициентов термического расширения слоя и подложки, плотность дислокаций в подложке.