机译:高温反向偏置应力下准垂直GaN肖特基势垒二极管的可靠性问题
National ASIC System Engineering Research Center School of Electronic Science and Engineering Southeast University Nanjing 210096 China;
School of Electronics and Information Nantong University Nantong 226019 China;
CorEnergy Semiconductor Co. LTD Zhangjiagang 215600 China;
High voltage stress; Quasi-vertical; GaN SBD;
机译:1.4-KV准垂直GaN肖特基势垒二极管,具有反向P-N结终端
机译:具有非晶扩散势垒的Al-TiW-PtSi / n-Si肖特基势垒二极管中正向和反向偏置电流-电压特性的温度依赖性
机译:Au / Ni / GaN肖特基势垒二极管反向偏压下的漏电流传输机制
机译:高性能准垂直GAN结屏障肖特基二极管,零反向恢复和坚固耐用的雪崩功能
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:低泄漏和高前进电流密度准垂直GaN肖特基势垒二极管,后髓质