机译:非正态入射下通过势垒的电子隧穿
Department of Electrical Engineering, Seoul National University, Kwanak-Ku, Shinlim-Dong, Seoul 151-742, Korea;
机译:Si / SiO_2双势垒结构中势阱粗糙度引起的从共振隧穿到单电子隧穿的转变
机译:电场作用下穿过带杂质水平的势垒的电子隧穿
机译:δ势对双势垒半导体异质结中自旋相关电子隧穿的影响
机译:有效地降低从碳纳米结构中隧穿电子的势垒
机译:入射到势垒上的双原子分子的隧穿
机译:分子电子学的特色:在扫描隧道显微镜中电子通过双势垒分子结的传输速率
机译:通过倾斜势垒的电子隧穿建模
机译:正电和非正常电子发生率的带电氟化乙烯 - 丙烯特氟隆的二次电子发射