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Electron tunneling through a potential barrier under non-normal incidence

机译:非正态入射下通过势垒的电子隧穿

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摘要

Theoretical phase time is compared with simulated tunneling time for one-dimensional electron tunneling through a potential barrier. The phase time is extended to the cases in which electrons are incident at an arbitrary angle on a potential barrier. The locations where the electrons appear after the tunneling are also discussed.
机译:将理论相时间与模拟的隧穿时间进行比较,以进行一维电子穿过势垒的隧穿。相时间延长到电子以任意角度入射在势垒上的情况。还讨论了隧穿后电子出现的位置。

著录项

  • 来源
    《Superlattices and microstructures》 |1995年第3期|p.177-185|共9页
  • 作者

    B. Lee; W. Lee;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, Seoul National University, Kwanak-Ku, Shinlim-Dong, Seoul 151-742, Korea;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

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