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机译:在Ge修饰的Si(100)衬底上生长的5μm厚3C-SiC层
Department of Electrical Engineering, Notre Dame University (NDU), P.O. Box 72, Zouk Mikhayel, Lebanon;
3C-SiC; germanium; strain; micro-raman; CVD;
机译:用于3C-SiC(100)生长的Ge修饰的Si(100)衬底
机译:在轴外4H-SIC基板上生长的厚3C-SIC层的电学特性
机译:真空升华外延在6H-SIC衬底上生长的厚3C-SiC外延层的研究
机译:Ge修饰的Si(100)衬底上3C-SiC MEMS的性能修改
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:高质量100nm厚的INCB薄膜在GaAs(001)底板上,具有inxal1-xsb连续分级缓冲层