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机译:厚度和温度对用于垂直几何GaN基发光二极管的GaN层上沉积的Ag膜的热稳定性的依赖性
Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
Ag reflector; Thermal stability; LED; Texturing;
机译:使用AgAl合金覆盖层的GaN基倒装芯片发光二极管的Ag欧姆接触的电稳定性和热稳定性
机译:In层对垂直GaN基发光二极管Ag反射器热稳定性的影响
机译:使用Zn覆盖层的GaN基垂直发光二极管的Ag欧姆接触的改进的热稳定性
机译:Ag膜上的石墨烯,用于与GaN基发光二极管中的p型GaN形成反射导电层欧姆接触
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:出版商注:“纳米结构Ag点,用于提高GaN的发光二极管的AG反射器的热稳定性”Appl。物理。吧。 101,021115(2012)