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Publisher’s Note: “Nanostructure Ag dots for improving thermal stability of Ag reflector for GaN-based light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 101, 021115 (2012)

机译：出版商注：“纳米结构Ag点，用于提高GaN的发光二极管的AG反射器的热稳定性”Appl。物理。吧。 101,021115（2012）

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Joon-Woo Jeon; Woong-Sun Yum; Semi Oh; Kyoung-Kook Kim; Tae-Yeon Seong;
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年度 2012
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1. Nanostructure Ag dots for improving thermal stability of Ag reflector for GaN-based light-emitting diodes [J] . Joon-Woo Jeon, Woong-Sun Yum, Semi Oh, Applied Physics Letters . 2012,第2期

机译：用于改善GaN基发光二极管Ag反射器的热稳定性的纳米结构Ag点
2. Publisher's Note: “Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission” [Appl. Phys. Lett. 101, 202402 (2012)] [J] . Greer A. A., Gray A. X., Kanai S., Applied Physics Letters . 2013,第1期

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3. Publisher’s Note: “Metamaterial particles for electromagnetic energy harvesting” [Appl. Phys. Lett. 101, 173903 (2012)] [J] . Ramahi Omar M., Almoneef Thamer S., AlShareef Mohammed, Applied Physics Letters . 2013,第26期

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4. High reflectivity and thermal-stability Cr-based Reflectors and n-type Ohmic Contact for GaN-based flip-chip light-emitting diodes [C] . Kuang-Po Hsueh, Kuo-Chun Chiang, Charles J. Wang, Gallium Nitride Materials and Devices . 2006

机译：高反射率和热稳定性Cr基反射器和GaN基倒装芯片发光二极管的n型欧姆接触
5. Thermal management of remote phosphor layer in a light-emitting diode system. [D] . Perera, Ukwatte Lokuliyanage Indika Upendra. 2013

机译：发光二极管系统中远程荧光粉层的热管理。
6. Effect of Dielectric Distributed Bragg Reflector on Electrical and Optical Properties of GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diodes [O] . Shengjun Zhou, Haohao Xu, Mengling Liu, 2018

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7. Publisher's Note: “Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission” Appl. Phys. Lett. 101, 202402 (2012) [O] . Greer A. A., Gray A. X., Conti G., 2013

机译：出版者的注释：“观察到具有驻波硬x射线光发射的退火Ta / CoFeB / MgO磁性隧道结中硼的扩散”物理来吧101，202402（2012）

Publisher’s Note: “Nanostructure Ag dots for improving thermal stability of Ag reflector for GaN-based light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 101, 021115 (2012)

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