机译:AlN / GaN异质结构纳米带的结构稳定性和电子性能的第一性原理研究
Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi'an Jiaotong University, 710049 Xi'an, China;
Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi'an Jiaotong University, 710049 Xi'an, China;
AlN/GaN heterostructure nanoribbons; Structural stability; Electronic properties; First-principles study;
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机译:GaN,alN和InN半导体的研究:结构,光学,电子和界面特性