机译:中断时间对MOCVD生长的量子级联激光器结构的InGaAs / InAlAs超晶格的影响
Department of Nanotechnology Engineering, Nanophotonics Research and Application Center, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey;
Department of Nanotechnology Engineering, Nanophotonics Research and Application Center, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey;
Superlattice; InGaAs; InAlAs; MOCVD; QCL;
机译:生长温度和中断时间对MBE和MOCVD法生长的InGaAs / GaAs QW结构晶体质量的影响
机译:高应变InGaAs / InAlAs量子级联激光器结构中的电流-电压和光电流特性
机译:量子级联激光器中低压金属有机气相外延生长的InGaAs / AlInAs超晶格的技术和性能
机译:金属有机气相外延生长的间接泵浦太赫兹InGaAs / InAlAs量子级联激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:间接泵浦37 ZHz indaas / Inalas量子 - 级联激光器,由金属 - 有机气相外延生长
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构