机译:等离子体辅助分子束外延技术调节有效带隙并找到GaN /蓝宝石衬底上InN薄膜的最佳生长条件
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, 400076, India;
Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, 400076, India;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, 400076, India;
机译:等离子体辅助分子束外延在蓝宝石衬底上外延生长高质量的InN薄膜
机译:等离子体辅助分子束外延在ZnO衬底上生长InN薄膜
机译:等离子体辅助分子束外延在r面蓝宝石衬底上生长不同Mg含量的非极性Zn_(1-x)Mg_xO薄膜
机译:从SI(111)和蓝宝石(0001)基板上的INN 2.2eV附近的可见排放由电子回旋谐振等离子体辅助分子束外延
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:RF-等离子体辅助氧化物分子束外延生长在石英玻璃基板上的VO2热致变色膜
机译:等离子体辅助分子束外延对R平面蓝宝石基材ZnO薄膜的生长和表征