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机译:用于高带宽210 GHz雷达的变质HEMT MMIC和模块
HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; aluminium compounds; field effect MMIC; gallium arsenide; indium compounds; low noise amplifiers; millimetre wave field effect transistors; millimetre wave mixers; power amplifiers; synthetic aperture radar; transisto;
机译:基于变质HEMT技术的243 GHz低噪声放大器MMIC和模块
机译:在300至500 GHz之间运行的变质HEMT MMIC和模块
机译:基于高性能50 nm变形HEMT技术的220 GHz低噪声放大器MMIC和模块
机译:用于高分辨率210GHz雷达的变质HEMT放大器电路
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:使用120 nm变形HEMT和共面波导的高增益110 GHz低噪声放大器MMIC