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【24h】

A 40-Gb/s SiGe-BiCMOS MZM Driver With 6-V p-p Output and On-Chip Digital Calibration

机译:具有6V p-p输出和片内数字校准的40Gb / s SiGe-BiCMOS MZM驱动器

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摘要

A wide-swing optical modulator driver is implemented in 0.13- μm SiGe-BiCMOS using a three-stage distributed amplifier with a digital input line. Measurements demonstrate 6 - Vp-p differential output, symmetric 6 -ps (min) rise/fall times, 333-fs (rms) additive jitter, and better than 20-dB output return loss (S11) below 58 GHz. Full output swing with adjustable (6–12 ps) rise/fall times is realized after a three-step calibration sequence facilitated by an on-chip energy detector and digital control. The circuit supports 28–48-Gb/s external data sources, or 2 11−1 PRBS and 1-0 internal data generators for calibration and characterization respectively. The 3-mm2 driver IC (1.8-mm2 active area) consumes 1.92 W from +5/−2.5-V supplies.
机译:使用带有数字输入线的三级分布式放大器,在0.13-μmSiGe-BiCMOS中实现宽摆幅光学调制器驱动器。测量结果表明,差分输出为6-Vp-p,对称的上升/下降时间为6 -ps(min),附加抖动为333-fs(rms),在58 GHz以下具有优于20 dB的输出回波损耗(S11)。经过三步校准序列后,通过片上能量检测器和数字控制,实现了具有可调(6–12 ps)上升/下降时间的全输出摆幅。该电路支持28-48-Gb / s外部数据源,或2个11-1 PRBS和1-0内部数据发生器,分别用于校准和表征。 3平方毫米驱动器IC(1.8平方毫米有效面积)的+ 5 / -2.5V电源消耗1.92W。

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  • 来源
    《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》 |2017年第2期|460-471|共12页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
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  • 正文语种 eng
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