机译:大剂量Mn和Cr注入p-AlGaN膜中
Institute of Rare Metals, Moscow 119017, B Tolmachevsky, 5, Russia;
机译:通过氢等离子体处理和质子注入引起的p-AlGaN薄膜的电学性质和深能级光谱变化
机译:大剂量Ge离子注入和注入后退火对ZnO薄膜的影响
机译:大剂量Ge离子注入和注入后退火对ZnO薄膜的影响
机译:高剂量Ge注入和Si注入二氧化硅薄膜的电荷陷阱
机译:浸涂膜对植入式皮层内微电极性能的影响。
机译:ISMP不良药物反应:噬菌体细胞瘤危机诱导高剂量治疗致命致命的甲基氯普胺依赖性在高剂量环磷酰胺急性朝向后的心脏毒性芬太尼素诱导的毒性表皮坏死诱导的综合征Pembrozumab诱导的1型糖尿病
机译:生长和薄外延