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大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究

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摘要

室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,经过退火样品的磁化强度增大.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|115-118|共4页
会议地点大连
作者
刘志凯; 宋书林; 陈诺夫; 柴春林; 尹志岗; 杨少延;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;
关键词
低能注入; 砷化镓; X射线衍射; 梯度磁强计; Mn离子; 半导体材料;

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