机译:应变硅上超薄TiO_2薄膜的电荷俘获特性
Department of Electronics and ECE, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721 302, India;
机译:应变硅上超薄二氧化钛(tio_2)薄膜的可靠性
机译:n-GaAs衬底上超薄HfYO_x薄膜的电荷俘获和可靠性特征
机译:超薄金属六氰基高铁酸盐薄膜的两层结构:电荷陷阱及其在腐蚀防护中的应用可能性
机译:应变硅上RTN生长的氮氧化物薄膜的电荷俘获特性
机译:高电子亲和力亚芳基二酰亚胺半导体薄膜中的电荷传输,俘获和界面效应
机译:膜厚对原子层沉积超薄TiO2薄膜气敏特性的影响
机译:超薄膜电动力学的理论研究及THz频率超薄膜超导性能和光学性质的评价