机译:离子注入调节铁电栅场效应晶体管的阈值电压
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
机译:功能性栅极金属氧化物半导体场效应晶体管,采用隧道注入/陷阱电荷注入,可实现超低功耗工作的自可调阈值电压
机译:具有厚热氧化物的pMOS辐射场效应晶体管的阈值电压调整
机译:通过调整Hf / Al组成比获得具有HfAlO_x(N)的互补金属氧化物半导体场效应晶体管中的对称阈值电压
机译:具有铁电栅场效应晶体管的非易失性闩锁电路的低功耗和低压运行分析
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:Pt / CaxSr1-xBi2Ta2O9 / Hf-Al-O / Si高性能铁电门场效应晶体管中铁电晶粒尺寸和取向的研究
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:具有DFET阈值调整注入的0.5微米E / D alGaas / Gaas异质结构场效应晶体管技术