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机译:缓冲杂质和场板对小型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响分析
Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology, 307 Fukasaku, Minuma-ku,Sitama 337-8570, Japan;
Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology, 307 Fukasaku, Minuma-ku,Sitama 337-8570, Japan;
机译:通过优化栅极场板结构,AlGaN / GaN高电子移动晶体管中的击穿电压增强
机译:AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管的热分析及其源桥型现场板结构的RF功率效率优化
机译:基于Monte Carlo模拟的梯度栅极场板AlGaN / GaN高电子迁移晶体管的延迟时间分析。
机译:基于AlGaN / GaN的新型双场板功率高电子迁移率晶体管可提高性能
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:内场板结构采用AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的操作改进