机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管的扭结效应和噪声性能
Dpto. Ffsica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
Microwave Electronics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience-MC2, Chalmers University of Technology, SE412 Goteborg, Sweden;
Dpto. Ffsica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
Microwave Electronics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience-MC2, Chalmers University of Technology, SE412 Goteborg, Sweden;
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Dpto. Ffsica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
机译:蒙特卡洛InAs / AlSb隔离栅高电子迁移率晶体管的扭结效应研究
机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管中碰撞电离的蒙特卡洛分析
机译:AlSb / InAs高电子迁移率晶体管在沟道下方具有平面Si掺杂的无扭结特性
机译:隔离门InAs / AlSb HEMT动力学性能的蒙特卡洛研究
机译:氮化镓高电子迁移率晶体管的内在噪声特性
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:蒙特卡洛InAs / AlSb隔离栅高电子迁移率晶体管的扭结效应研究
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章