机译:蒙特卡洛InAs / AlSb隔离栅高电子迁移率晶体管的扭结效应研究
Dpto. de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
rnDpto. de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
rnDpto. de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
rnDepartment of Microtechnology and Nanoscience-MC2, Chalmers University of Technology, SE-412 96 Goeteborg, Sweden;
rnDepartment of Microtechnology and Nanoscience-MC2, Chalmers University of Technology, SE-412 96 Goeteborg, Sweden;
rnDpto. De Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s, 37008 Salamanca, Spain;
机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管中碰撞电离的蒙特卡洛分析
机译:隔离栅InAs / AlSb高电子迁移率晶体管的扭结效应和噪声性能
机译:隔离门InAs / AlSb HEMT的噪声性能的蒙特卡洛研究
机译:隔离门InAs / AlSb HEMT动力学性能的蒙特卡洛研究
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:蒙特卡洛InAs / AlSb隔离栅高电子迁移率晶体管的扭结效应研究
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章