机译:高性能N极GaN增强模式器件技术
Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY 14260, USA;
SEMATECH Inc., Austin, TX 78741, USA;
ECE Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA;
机译:具有5nm GaN通道,510mS / mm和0.66的增强模式N极性GaN MOS-HFET
机译:具有自对准栅极凹陷技术的高性能增强模式Al2O3 / InAlGaN / GaN MOS高电子迁移率晶体管
机译:具有自对准源/漏区的增强模式AlN / GaN / AlN N极MISFET中的静态特性和短沟道效应
机译:增强型N极GaN单通道和双通道MIS-HEMT的设计和仿真
机译:增强型AlGaN / GaN晶体管的制造技术和器件仿真。
机译:使用基于GaN和ZnO的器件的氢二氧化碳和碳氢化合物气体传感器技术的进展
机译:具有自排列源/漏区的增强型ALN / GAN / ALN N极MISFET的数值研究