机译:具有自对准源/漏区的增强模式AlN / GaN / AlN N极MISFET中的静态特性和短沟道效应
GaN; enhancement-mode; short channel effect; MISFET;
机译:具有自对准源/漏区的增强模式AlN / GaN / AlN N极MISFET中的静态特性和短沟道效应
机译:新型PEALD-AlN / LPCVD-Si 3 sub>晶体管的823-mA / mm漏电流密度和945-MW / cm 2 sup> Baliga的品质因数增强型GaN MISFET > N 4 sub>双栅介质
机译:通过MOCVD在具有再生源/漏的Si衬底上的增强模式AlN / GaN MOSHFET
机译:可扩展的电子模式N极GaN MISFET设备和自对准源/排水再生的过程
机译:用于自对准IGZO TFT的植入活性源/漏区
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:具有自排列源/漏区的增强型ALN / GAN / ALN N极MISFET的数值研究