机译:快速热退火后异质沉积AI / SiN_x:H / n-In_0.53Ga_0.47As器件的栅极质量
机译:DLTS和电导瞬态技术研究ECR沉积和快速热退火氮化硅Al / SiN_x:H / InP和Al / SiN_x:H / In_0.53Ga_0.47As结构的界面质量
机译:SiO_2上超薄a-Si原位快速热退火自组装Si纳米晶存储器件
机译:研究退火工艺和界面与四乙氧基硅烷沉积的SiO2对降低4H-SiC器件栅极定义的热收支的影响
机译:通过NH / sub 3 /快速热退火形成W / poly-Si栅极的反应势垒,适用于0.15 / spl mu / m CMOS器件
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:快速热退火用于射频磁控溅射沉积的高质量ITO薄膜
机译:EX原位的栅极质量沉积AL / SINX:H / N-IN0.53GA0.47AS在快速热退火后的装置