机译:AlGaN / GaN FinFET的改进分析模型-V特性
Capital Univ Sci & Technol Dept Elect Engn Islamabad Pakistan;
FinFET; analytical model; DC characteristics; heterostructure;
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:GaN和AlGaN / GaN FinFET的特性
机译:完全结合稳态速度过冲的AlGaN / GaN HFET漏极电流特性的分析模型
机译:基于物理基于常压AlGaN / GaN FinFET的阈值电压的分析模型
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型