机译:Si前驱体混合对Si和SiGe低温生长动力学的影响
Univ Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France;
low temperature Si and SiGe growth kinetics; reduced pressure-chemical vapour deposition; silane; disilane and dichlorosilane;
机译:减压化学气相沉积中高Ge含量SiGe的低温生长动力学
机译:温度和HCl流量对减压化学气相沉积中SiGe生长动力学的影响
机译:低温SiGe中间层对弛豫SiGe生长的影响
机译:适用于45nm以上节点的低温,低缺陷和低成本SiGe选择性外延生长(L 3 sup> SiGe SEG)工艺的技术突破
机译:混合配体方法设计用于低温制备氧化物材料的多金属单源前驱体
机译:低温(13.56 MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中使用H稀释终止Si和Ge原子的研究
机译:非常高迁移率的声电效应$ p $ -siGe / Ge / siGe 高磁场中低温下的异质结构