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The Challenges Of the Copper CMP Clean

机译:铜CMP清洁的挑战

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摘要

In addition to the removal of the polishing slurry and its associated contaminants, a copper CMP cleaning process must remove the copper contamination in the surface and subsurface regions of the dielectric, on the bevel edge and on the backside of the wafer. The cleaning process must accomplish these goals while preventing the corrosion of copper lines.
机译:除了去除抛光浆料及其相关污染物外,铜CMP清洁工艺还必须去除电介质表面和亚表面区域,斜角边缘和晶片背面的铜污染物。清洁过程必须实现这些目标,同时防止铜线腐蚀。

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