首页> 外文期刊>Semiconductor International >Silicon Interposers Bridge to 3-D TSVs
【24h】

Silicon Interposers Bridge to 3-D TSVs

机译:硅中介层桥接到3-D TSV

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Although 3-D IC technology is proceeding toward broad commercialization, it is moving at a slower pace than some have expected as technology and other challenges continue, speakers said at the Research Triangle Institute (RTI) conference on 3-D Architectures for Semiconductor Integration and Packaging held in December in Burlingame, Calif.
机译:演讲者在三角半导体研究所(RTI)关于半导体集成和半导体的3-D架构研究大会上表示,尽管3-D IC技术正在朝着广泛的商业化方向发展,但随着技术和其他挑战的继续,其发展速度低于某些人的预期。包装于12月在加州伯灵格姆举行。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor International》 |2010年第2期|9|共1页
  • 作者

    Philip Garrou;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 23:12:22

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号