机译:考虑集肤效应,介电准TEM和慢波模式的用于3-D芯片集成和硅中介层的TSV的高频建模
Fraunhofer Institute for Reliability and Microintegration (IZM) Berlin, Berlin,;
Dielectric quasi-TEM mode; per-unit-length circuit parameters; skin-effect mode; slow-wave mode; through-silicon via;
机译:基于TSV的3-D存储器IC(包括P / G TSV,片上去耦电容器和硅衬底效应)中配电网络的建模和分析
机译:用于3-D集成应用的差分TSV的高频电气建模和表征
机译:高频温度依赖型硅通孔(TSV)模型和3-D IC的高速通道性能
机译:通过硅通孔(TSV)的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的慢波和介电准TEM模式在3D芯片封装中的信号传播和功率传递中
机译:基于TSV的3-D集成电路片上PDN互连的设计,模型和分析
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:硅中介硅电容器的建模与频率性能分析
机译:使用COmsOL multiphysics软件模拟折叠波导行波管慢波电路中的各向异性介电和超材料效应