SiCパワー半導体素子抵抗要因の影響解明

摘要

三菱電機㈱(東京都千代田区丸の内2-7-3、03-3218-2111)と東京大学は、SiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱の要因を世界で初めて解明した。また、要因の1つである電荷による電子散乱を抑制すると、界面下の抵抗を従来比3分の1に低減できることを確認した。