SiCパワー半導体素子抵抗要因の影響度を解明

摘要

三菱電機先端技術総合研究所(水落隆司所長)と東京大学大学院工学系研究科喜多浩之准教授は、世界で初めてパヮー半導体モジュールに搭載されるシリコンカーバイド(Sic)パヮー半導体素子の抵抗要因を解明。抵抗値を3分の1に低減することを明らかにした。