首页> 外国专利> 半導体装置の検査方法、半導体装置の製造方法、及び検査装置

半導体装置の検査方法、半導体装置の製造方法、及び検査装置

机译:半导体装置检查方法,半导体装置制造方法以及检查装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce discharge without using a special device for spraying of an insulation gas, insulation immersion and the like.;SOLUTION: An inspection method of a semiconductor device, includes: a voltage apply step of applying an inspection voltage to the semiconductor device by increasing a voltage to a second voltage higher than a first voltage after an inspection device increases a reference voltage to the first voltage lower than a proof pressure actual value; and an inspection step of inspecting the proof voltage of the semiconductor device after the inspection device applies the inspection voltage in the voltage apply step.;SELECTED DRAWING: Figure 1;COPYRIGHT: (C)2019,JPO&INPIT
机译:解决的问题:在不使用用于喷射绝缘气体,绝缘浸渍等的专用装置的情况下减少放电的方法;解决方案:半导体装置的检查方法包括:将检查电压施加到半导体装置的电压施加步骤。在检查装置将参考电压增加到低于耐压实际值的第一电压之后,通过将电压增加到高于第一电压的第二电压来形成半导体器件; ;选择装置:图1;版权:(C)2019,JPO&INPIT;检查装置在施加电压的步骤中施加检查电压之后检查半导体装置的证明电压的检查步骤。

著录项

  • 公开/公告号JP2019036592A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHINDENGEN ELECTRIC MFG CO LTD;

    申请/专利号JP20170155711

  • 发明设计人 望月 孝;前山 雄介;

    申请日2017-08-10

  • 分类号H01L21/66;G01R31/26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:20:00

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号