大阪大学産業科学研究所金対応の焼結接合技術GaN実装に貢献

摘要

大阪大学産業科学研究所(大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1、06-6877-5111)の菅沼克昭教授らは、金電極に対応した新たな焼結接合技術を開発した。低温、無加圧での接合によりGaNデバイスの高機能実装に貢献できる。菅沼教授は、SiCをはじめとした次世代パワーデバイス実装技術として、200~250℃の低温と低加圧により接合が可能な銀接合技術を提案し、実用化が始まっている。ただ、この接合方法は銀同士を加熱した際に界面がナノ粒子化して焼結する独自の反応を応用しており、シリコンやGaNなどの電極で主流の金には使えないという問題があった。