不同烧结温度对一种微电子封装材料性能的影响

摘要

采用固相法合成了一种微电子封装材料,并研究了烧结温度对材料的相组成,微观结构以及热、机械、电性能的影响.XRD分析结果显示:主要存在石英、方石英与BaSi2O5三种晶相.随着烧结温度从900℃升至920℃,材料的结构逐渐致密,此时相组成变化不大.而当温度超过930-940℃以后,方石英相含量大量增加并成为主晶相,同时伴随石英相减少.方石英的存在带来了更高的热膨胀系数,但过量也会导致热膨胀非线性以及抗弯强度的降低.从而找到了改善材料热膨胀非线性的关键因素在于控制烧结温度.总的来说,材料在920℃烧结获得了最佳的性能:低的介电常数和损耗(εr=6.2,tanδ=10-4at1MHz),高的抗弯强度(179MPa),线性且高的热膨胀系数(12.19ppm/℃)以更好地作为与PCB板匹配的LTCC基板材料.