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机译:•利用NICT和农业技术开发垂直氧化沟,进行大离子注入
机译:使用NICT和东京农业科技大学成功开发出垂直Ga_2O_3晶体管,离子注入掺杂技术
机译:使用世界上第一个和离子植入胶带技术开发垂直镓氧化物功率半导体的成功,并预计通过设备开发全销量节能社会
机译:具有离子注入掺杂技术的垂直氧化镓功率半导体
机译:使用氮离子注入制成的带保护环的垂直Ga_2O_3肖特基势垒二极管(II)
机译:开发和利用基于对映异构概念的高效功能环戊烷手性装置(应用于生物活性天然产物的有效对映体控制合成)
机译:测量血液中活性胰岛素样生长因子的新生物测定方法的开发和针对非胰岛细胞瘤性低血糖症的靶向活性胰岛素样生长因子的治疗策略