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摘要

永久磁石なしで機能する磁気記憶デバイスの試作品が明らかにされた。この記憶デバイスは、永久磁石がなくても動作するため、他の磁気記憶技術よりも小型化が容易になっている。磁気メモリーは通常、2つの強磁性層(永久磁石層と磁気分極を調節できる層)の磁場を利用している。この2つの層は、平行にそろえることもでき、反平行にそろえることもできる。これによって、メモリーデバイスに電流が流れやすくなるかどうかが決定する。しかし、永久磁石は小型化することが難しい。Y.Pa1tie1らは今回、この問題を回避するため、らせん状にねじれた有機分子におけるスピンフィルタリング効果という最近の発見を利用して、メモリーの試作品を作製した。上向きスピン電子または下向きスピン電子が、らせん状分子を通過するとき、スピンフィルタリング効果では、いずれのスピンが容易に通過できるかどうかが、らせんの巻き方によって決まる。このメモリーデバイスに情報が書き込まれると、電流がらせん状分子を通過できるように駆動され、一方のスピン配向を持つ電子だけが反対側で検出される。これにより、隣接するニッケル層が磁化される。この新しいメモリーデバイスは、原理的には、1つの磁性ナノ粒子の大きさまで小型化できるので、高密度メモリーオンチップデバイスの作製がもうすぐ可能になるかもしれない。(ネイチャー・コミュニケーションズ電子版)。